压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
2012年
1期
114-117
,共4页
王伟宾%霍伟荣%赵远远%王姝娅%束平%张国俊
王偉賓%霍偉榮%趙遠遠%王姝婭%束平%張國俊
왕위빈%곽위영%조원원%왕주아%속평%장국준
高K薄膜%锆钛酸铅(PZT)薄膜%湿法刻蚀%LDMOS%刻蚀速率
高K薄膜%鋯鈦痠鉛(PZT)薄膜%濕法刻蝕%LDMOS%刻蝕速率
고K박막%고태산연(PZT)박막%습법각식%LDMOS%각식속솔
为了对横向双扩散MOSFET(LDMOS)器件所采用的锆钛酸铅(PZT)高介电常数(高K)薄膜进行微图形化,对湿法刻蚀过程中腐蚀液、光刻、刻蚀等工艺进行了优化研究,发现由BOE+HCl+ HNO3+ H2O+缓冲剂组成的腐蚀液刻蚀效果较好.刻蚀结果表明,所刻蚀薄膜的厚度约为600 nm,最小线条宽度约为3 μm,侧蚀比减小到1.07:1,符合功率器件制备的尺度要求,由此所制备的LDMOS器件耐压提高了近2倍.
為瞭對橫嚮雙擴散MOSFET(LDMOS)器件所採用的鋯鈦痠鉛(PZT)高介電常數(高K)薄膜進行微圖形化,對濕法刻蝕過程中腐蝕液、光刻、刻蝕等工藝進行瞭優化研究,髮現由BOE+HCl+ HNO3+ H2O+緩遲劑組成的腐蝕液刻蝕效果較好.刻蝕結果錶明,所刻蝕薄膜的厚度約為600 nm,最小線條寬度約為3 μm,側蝕比減小到1.07:1,符閤功率器件製備的呎度要求,由此所製備的LDMOS器件耐壓提高瞭近2倍.
위료대횡향쌍확산MOSFET(LDMOS)기건소채용적고태산연(PZT)고개전상수(고K)박막진행미도형화,대습법각식과정중부식액、광각、각식등공예진행료우화연구,발현유BOE+HCl+ HNO3+ H2O+완충제조성적부식액각식효과교호.각식결과표명,소각식박막적후도약위600 nm,최소선조관도약위3 μm,측식비감소도1.07:1,부합공솔기건제비적척도요구,유차소제비적LDMOS기건내압제고료근2배.
