有机半导体ADN的DFT理论计算研究
유궤반도체ADN적DFT이론계산연구
The Study on Organic Semiconductor ADN by DFT Theoretical Calculation
  • 万方数据
    红外技术 홍외기술
    INFRARED TECHNOLOGY
    2012年 5期 249-255 ,共7页

    唐利斌%姬荣斌%刘树平%王忆锋%许扬羽%叶婧%陆志文%台国安%魏长松%宋立媛%陈雪梅%马钰%庄继胜

    당리빈%희영빈%류수평%왕억봉%허양우%협청%륙지문%태국안%위장송%송립원%진설매%마옥%장계성

    9,10-二(2-萘基)蒽%密度泛函理论%红外光谱%Raman光谱%紫外-可见光谱 9,10-二(2-萘基)蒽%密度汎函理論%紅外光譜%Raman光譜%紫外-可見光譜
    9,10-이(2-내기)은%밀도범함이론%홍외광보%Raman광보%자외-가견광보
    采用密度泛函理论( DFT)方法对9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)进行了B3LYP/6-31G水平上的分子结构优化、红外光谱、Raman光谱、紫外-可见光谱、分子前线轨道、Mulliken电荷等理论计算.研究结果表明:理论计算结果与实验数据吻合得较好,对IR、THz、UV-Vis吸收光谱和Raman散射光谱中的特征峰进行了归属,发现ADN在0.1～10 THz波谱范围内有5个明显的吸收峰,分别位于1.08、2.52、4.44、5.64及6.60 THz,其中5.64 THz的吸收是最强的,它是由萘环面外弯曲及蒽环面内摇摆振动产生的.ADN在紫外光波段有三个吸收峰,分别对应于386.34、352.98及352.50 nm,其中386.34 nm的紫外吸收峰最强.ADN理论计算能隙值为3.516 eV,比实验值3.2 eV略高.ADN的Mulliken电荷计算表明,所有H原子的Mulliken电荷皆为正电荷,C原子Mulliken电荷与其具体的化学环境相关.
    채용밀도범함이론( DFT)방법대9,10-이(2-내기)은(ADN)진행료B3LYP/6-31G수평상적분자결구우화、홍외광보、Raman광보、자외-가견광보、분자전선궤도、Mulliken전하등이론계산.연구결과표명:이론계산결과여실험수거문합득교호,대IR、THz、UV-Vis흡수광보화Raman산사광보중적특정봉진행료귀속,발현ADN재0.1～10 THz파보범위내유5개명현적흡수봉,분별위우1.08、2.52、4.44、5.64급6.60 THz,기중5.64 THz적흡수시최강적,타시유내배면외만곡급은배면내요파진동산생적.ADN재자외광파단유삼개흡수봉,분별대응우386.34、352.98급352.50 nm,기중386.34 nm적자외흡수봉최강.ADN이론계산능극치위3.516 eV,비실험치3.2 eV략고.ADN적Mulliken전하계산표명,소유H원자적Mulliken전하개위정전하,C원자Mulliken전하여기구체적화학배경상관.
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