半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
z1期
94-98
,共5页
水溶液中沉积%锐钛矿型TiO2薄膜%光催化
水溶液中沉積%銳鈦礦型TiO2薄膜%光催化
수용액중침적%예태광형TiO2박막%광최화
将基质玻璃片浸渍在含配合物TiF2-6,F-离子捕获剂H3BO3,及加有结晶诱导剂TiO2纳米晶的过饱和水溶液中,在基质上沉积TiO2薄膜.在沉积温度35℃和TiF2-6水溶液的浓度为0.1mol*L-1及反应物TiF2-6和H3BO3的摩尔比为1∶2～4的条件下,能得到透明锐钛矿型TiO2的薄膜.膜的厚度随沉积时间的延长而增加,当沉积时间为9h时,膜厚约为260nm.用AFM观察TiO2薄膜的形貌,其表面都较均匀平滑.由FTIR光谱图看出,在35℃下沉积的TiO2膜已与玻璃片间形成了Ti-O-Si键.通过亚甲兰的光催化降解,评价经不同温度热处理后TiO2薄膜的光催化活性,结果表明,经300℃热处理的TiO2薄膜具有最高的光催化活性,其活性相当于35℃下沉积所得TiO2薄膜的5倍.
將基質玻璃片浸漬在含配閤物TiF2-6,F-離子捕穫劑H3BO3,及加有結晶誘導劑TiO2納米晶的過飽和水溶液中,在基質上沉積TiO2薄膜.在沉積溫度35℃和TiF2-6水溶液的濃度為0.1mol*L-1及反應物TiF2-6和H3BO3的摩爾比為1∶2～4的條件下,能得到透明銳鈦礦型TiO2的薄膜.膜的厚度隨沉積時間的延長而增加,噹沉積時間為9h時,膜厚約為260nm.用AFM觀察TiO2薄膜的形貌,其錶麵都較均勻平滑.由FTIR光譜圖看齣,在35℃下沉積的TiO2膜已與玻璃片間形成瞭Ti-O-Si鍵.通過亞甲蘭的光催化降解,評價經不同溫度熱處理後TiO2薄膜的光催化活性,結果錶明,經300℃熱處理的TiO2薄膜具有最高的光催化活性,其活性相噹于35℃下沉積所得TiO2薄膜的5倍.
장기질파리편침지재함배합물TiF2-6,F-리자포획제H3BO3,급가유결정유도제TiO2납미정적과포화수용액중,재기질상침적TiO2박막.재침적온도35℃화TiF2-6수용액적농도위0.1mol*L-1급반응물TiF2-6화H3BO3적마이비위1∶2～4적조건하,능득도투명예태광형TiO2적박막.막적후도수침적시간적연장이증가,당침적시간위9h시,막후약위260nm.용AFM관찰TiO2박막적형모,기표면도교균균평활.유FTIR광보도간출,재35℃하침적적TiO2막이여파리편간형성료Ti-O-Si건.통과아갑란적광최화강해,평개경불동온도열처리후TiO2박막적광최화활성,결과표명,경300℃열처리적TiO2박막구유최고적광최화활성,기활성상당우35℃하침적소득TiO2박막적5배.
