半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
3期
235-238
,共4页
深亚微米金属-氧化物半导体场效应晶体管%非抛物线因子%全能带蒙特卡罗%速度过冲
深亞微米金屬-氧化物半導體場效應晶體管%非拋物線因子%全能帶矇特卡囉%速度過遲
심아미미금속-양화물반도체장효응정체관%비포물선인자%전능대몽특잡라%속도과충
随着器件尺寸的进一步减小,Si能带的非抛物线性以及高电场对MOSFET中沟道电子输运的影响变得越来越重要.在基于全能带蒙特卡罗方法的基础上,研究了非抛物线因子对沟道电子输运的影响.研究表明,非抛物线因子对小尺寸器件输运电流的影响大,而对大尺寸器件输运电流的影响不明显,这意味着对于深亚微米MOSFET必须考虑非抛物线因子对器件电子输运的影响.
隨著器件呎吋的進一步減小,Si能帶的非拋物線性以及高電場對MOSFET中溝道電子輸運的影響變得越來越重要.在基于全能帶矇特卡囉方法的基礎上,研究瞭非拋物線因子對溝道電子輸運的影響.研究錶明,非拋物線因子對小呎吋器件輸運電流的影響大,而對大呎吋器件輸運電流的影響不明顯,這意味著對于深亞微米MOSFET必鬚攷慮非拋物線因子對器件電子輸運的影響.
수착기건척촌적진일보감소,Si능대적비포물선성이급고전장대MOSFET중구도전자수운적영향변득월래월중요.재기우전능대몽특잡라방법적기출상,연구료비포물선인자대구도전자수운적영향.연구표명,비포물선인자대소척촌기건수운전류적영향대,이대대척촌기건수운전류적영향불명현,저의미착대우심아미미MOSFET필수고필비포물선인자대기건전자수운적영향.
