微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
4期
254-257
,共4页
张璐璐%崔大付%蔡浩原%李辉%孙建海%陈兴
張璐璐%崔大付%蔡浩原%李輝%孫建海%陳興
장로로%최대부%채호원%리휘%손건해%진흥
传感器%表面等离子共振(SPR)%分子印迹膜(MIP)%氯磺隆(CS)%连续检测
傳感器%錶麵等離子共振(SPR)%分子印跡膜(MIP)%氯磺隆(CS)%連續檢測
전감기%표면등리자공진(SPR)%분자인적막(MIP)%록광륭(CS)%련속검측
研究使用了中国科学院电子学研究所自行研制的高灵敏度单通道SPR分析仪和进样装置,仪器为棱镜耦合型SPR传感器结构,其检测角度范围是40°～70°,折射率检测范围为1.04～1.47,谐振角的精度在0.001°.适用于SPR分析仪的分子印迹芯片采用PVC-MIP共聚膜法制备,SPR角度扫描结果表明,200 nm以下厚度芯片具有较好的SPR吸收特性.以氯磺隆为模板的分子印迹膜与不加氯磺隆的分子印迹膜对比实验发现前者具有特异性结合的能力.实验对浓度0.1,0.2,0.5和1 μg/mL的氯磺隆进行了SPR定点检测,这四种浓度氯磺隆的折射率响应信号满足线性关系,相关系数R=0.996 4.实验中对低浓度的氯磺隆进行反复检测,检测到50 ng/mL的氯磺隆,满足农残检测的要求.
研究使用瞭中國科學院電子學研究所自行研製的高靈敏度單通道SPR分析儀和進樣裝置,儀器為稜鏡耦閤型SPR傳感器結構,其檢測角度範圍是40°～70°,摺射率檢測範圍為1.04～1.47,諧振角的精度在0.001°.適用于SPR分析儀的分子印跡芯片採用PVC-MIP共聚膜法製備,SPR角度掃描結果錶明,200 nm以下厚度芯片具有較好的SPR吸收特性.以氯磺隆為模闆的分子印跡膜與不加氯磺隆的分子印跡膜對比實驗髮現前者具有特異性結閤的能力.實驗對濃度0.1,0.2,0.5和1 μg/mL的氯磺隆進行瞭SPR定點檢測,這四種濃度氯磺隆的摺射率響應信號滿足線性關繫,相關繫數R=0.996 4.實驗中對低濃度的氯磺隆進行反複檢測,檢測到50 ng/mL的氯磺隆,滿足農殘檢測的要求.
연구사용료중국과학원전자학연구소자행연제적고령민도단통도SPR분석의화진양장치,의기위릉경우합형SPR전감기결구,기검측각도범위시40°～70°,절사솔검측범위위1.04～1.47,해진각적정도재0.001°.괄용우SPR분석의적분자인적심편채용PVC-MIP공취막법제비,SPR각도소묘결과표명,200 nm이하후도심편구유교호적SPR흡수특성.이록광륭위모판적분자인적막여불가록광륭적분자인적막대비실험발현전자구유특이성결합적능력.실험대농도0.1,0.2,0.5화1 μg/mL적록광륭진행료SPR정점검측,저사충농도록광륭적절사솔향응신호만족선성관계,상관계수R=0.996 4.실험중대저농도적록광륭진행반복검측,검측도50 ng/mL적록광륭,만족농잔검측적요구.
