功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2011年
4期
350-354
,共5页
黄园媛%石培培%牛巧利%章勇
黃園媛%石培培%牛巧利%章勇
황완원%석배배%우교리%장용
金属诱导晶化%p型多晶硅薄膜%非晶硅薄膜
金屬誘導晶化%p型多晶硅薄膜%非晶硅薄膜
금속유도정화%p형다정규박막%비정규박막
利用电子束蒸镀方法及重掺杂p型硅为蒸发源在K8玻璃衬底上沉积非晶硅薄膜,采用镍诱导晶化法在氮气氛围下进行退火处理制备出p型多晶硅薄膜.研究了不同温度热处理条件对p型多晶硅薄膜的光电性能的影响,通过霍尔测量、拉曼光谱、原子力显微镜、紫外-可见光吸收光谱等测试手段对薄膜进行分析.结果表明,随着晶化温度的提高晶化程度先增强后减弱.优化晶化温度使30 nm厚p型多晶硅薄膜的方块电阻达到300Ω/□,在可见光范围的透射率超过10％.
利用電子束蒸鍍方法及重摻雜p型硅為蒸髮源在K8玻璃襯底上沉積非晶硅薄膜,採用鎳誘導晶化法在氮氣氛圍下進行退火處理製備齣p型多晶硅薄膜.研究瞭不同溫度熱處理條件對p型多晶硅薄膜的光電性能的影響,通過霍爾測量、拉曼光譜、原子力顯微鏡、紫外-可見光吸收光譜等測試手段對薄膜進行分析.結果錶明,隨著晶化溫度的提高晶化程度先增彊後減弱.優化晶化溫度使30 nm厚p型多晶硅薄膜的方塊電阻達到300Ω/□,在可見光範圍的透射率超過10％.
이용전자속증도방법급중참잡p형규위증발원재K8파리츤저상침적비정규박막,채용얼유도정화법재담기분위하진행퇴화처리제비출p형다정규박막.연구료불동온도열처리조건대p형다정규박막적광전성능적영향,통과곽이측량、랍만광보、원자력현미경、자외-가견광흡수광보등측시수단대박막진행분석.결과표명,수착정화온도적제고정화정도선증강후감약.우화정화온도사30 nm후p형다정규박막적방괴전조체도300Ω/□,재가견광범위적투사솔초과10％.
