半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
5期
367-370
,共4页
汪明刚%杨威风%李超波%刘训春%夏洋
汪明剛%楊威風%李超波%劉訓春%夏洋
왕명강%양위풍%리초파%류훈춘%하양
氮化镓%干法刻蚀%氯气/氯化硼%感应耦合等离子体%侧壁形貌
氮化鎵%榦法刻蝕%氯氣/氯化硼%感應耦閤等離子體%側壁形貌
담화가%간법각식%록기/록화붕%감응우합등리자체%측벽형모
基于感应耦合等离子体干法刻蚀技术,对采用Cl2/BCl3气体组分下GaN刻蚀后的侧壁形貌进行了研究.扫描电镜(SEM)结果表明,一定刻蚀条件下,刻蚀后GaN侧壁会形成转角与条纹状褶皱形貌.进一步实验,观察到了GaN侧壁转角形貌的形成过程；低偏压功率实验表明,高能离子轰击是GaN侧壁转角与条纹状褶皱形貌形成的原因.刻蚀过程中,掩蔽层光刻胶经过高能离子一段时间轰击后,其边缘首先出现条纹状褶皱形貌,并转移到GaN侧壁上,接着转角形貌亦随之出现并转移到GaN侧壁上.这与已公开发表文献认为的GaN侧壁条纹状褶皱仅由于掩蔽层边缘粗糙所引起而非刻蚀过程中形成的解释不同.
基于感應耦閤等離子體榦法刻蝕技術,對採用Cl2/BCl3氣體組分下GaN刻蝕後的側壁形貌進行瞭研究.掃描電鏡(SEM)結果錶明,一定刻蝕條件下,刻蝕後GaN側壁會形成轉角與條紋狀褶皺形貌.進一步實驗,觀察到瞭GaN側壁轉角形貌的形成過程；低偏壓功率實驗錶明,高能離子轟擊是GaN側壁轉角與條紋狀褶皺形貌形成的原因.刻蝕過程中,掩蔽層光刻膠經過高能離子一段時間轟擊後,其邊緣首先齣現條紋狀褶皺形貌,併轉移到GaN側壁上,接著轉角形貌亦隨之齣現併轉移到GaN側壁上.這與已公開髮錶文獻認為的GaN側壁條紋狀褶皺僅由于掩蔽層邊緣粗糙所引起而非刻蝕過程中形成的解釋不同.
기우감응우합등리자체간법각식기술,대채용Cl2/BCl3기체조분하GaN각식후적측벽형모진행료연구.소묘전경(SEM)결과표명,일정각식조건하,각식후GaN측벽회형성전각여조문상습추형모.진일보실험,관찰도료GaN측벽전각형모적형성과정；저편압공솔실험표명,고능리자굉격시GaN측벽전각여조문상습추형모형성적원인.각식과정중,엄폐층광각효경과고능리자일단시간굉격후,기변연수선출현조문상습추형모,병전이도GaN측벽상,접착전각형모역수지출현병전이도GaN측벽상.저여이공개발표문헌인위적GaN측벽조문상습추부유우엄폐층변연조조소인기이비각식과정중형성적해석불동.
