CAJ | 학술논문

利用VL020真空烧结炉,选用In焊料对半导体激光器芯片的焊接技术进行较为深入的研究,分别对焊接时气体保护、焊接前期芯片、热沉的处理、真空工艺过程压力的施加、夹具设计和烧结工艺曲线等因素进行实验分析.结果表明,以上参数对半导体激光器芯片的焊接均有显著的影响,在N2/H2体积分数为95％/5％气体的保护下,通过对夹具施加适当的静压力,In焊料与Au能够充分和快速润湿,实现较高的焊接质量.蔡司显微镜检测结果表明,采用焊接技术可以使半导体激光器芯片具有较低的空洞率,高达90％以上的焊透率,其焊接过程主要通过夹具装配完成,人为影响因素少,成品率高,并适用于小批量生产.
이용VL020진공소결로,선용In한료대반도체격광기심편적한접기술진행교위심입적연구,분별대한접시기체보호、한접전기심편、열침적처리、진공공예과정압력적시가、협구설계화소결공예곡선등인소진행실험분석.결과표명,이상삼수대반도체격광기심편적한접균유현저적영향,재N2/H2체적분수위95％/5％기체적보호하,통과대협구시가괄당적정압력,In한료여Au능구충분화쾌속윤습,실현교고적한접질량.채사현미경검측결과표명,채용한접기술가이사반도체격광기심편구유교저적공동솔,고체90％이상적한투솔,기한접과정주요통과협구장배완성,인위영향인소소,성품솔고,병괄용우소비량생산.