人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2012年
3期
636-641
,共6页
朱慧群%李毅%丁瑞钦%王忆%黄洁芳%张锐华
硃慧群%李毅%丁瑞欽%王憶%黃潔芳%張銳華
주혜군%리의%정서흠%왕억%황길방%장예화
磁控溅射%p型ZnO薄膜%磷掺杂%异质结
磁控濺射%p型ZnO薄膜%燐摻雜%異質結
자공천사%p형ZnO박막%린참잡%이질결
采用射频磁控溅射法,在不同的Ar∶O2条件下,以高掺磷n型Si衬底为磷掺杂源制备了p型ZnO薄膜和p-ZnO/n-Si异质结.对ZnO∶P薄膜进行了光致发光谱(PL)、霍尔参数、Ⅰ-Ⅴ特性、扫描电镜(SEM)和X射线衍射谱(XRD)等测试.结果表明,获得的ZnO∶P薄膜沿(0002)晶面高取向生长,以3.33 eV近带边紫外发光为主,伴有2.69 eV附近的深能级绿色发光峰,空穴浓度为8.982 × 1017/cm3,空穴迁移率为9.595 cm2/V·s,p-ZnO/n-Si异质结I-V整流特性明显,表明ZnO∶P薄膜具有p型导电特性.
採用射頻磁控濺射法,在不同的Ar∶O2條件下,以高摻燐n型Si襯底為燐摻雜源製備瞭p型ZnO薄膜和p-ZnO/n-Si異質結.對ZnO∶P薄膜進行瞭光緻髮光譜(PL)、霍爾參數、Ⅰ-Ⅴ特性、掃描電鏡(SEM)和X射線衍射譜(XRD)等測試.結果錶明,穫得的ZnO∶P薄膜沿(0002)晶麵高取嚮生長,以3.33 eV近帶邊紫外髮光為主,伴有2.69 eV附近的深能級綠色髮光峰,空穴濃度為8.982 × 1017/cm3,空穴遷移率為9.595 cm2/V·s,p-ZnO/n-Si異質結I-V整流特性明顯,錶明ZnO∶P薄膜具有p型導電特性.
채용사빈자공천사법,재불동적Ar∶O2조건하,이고참린n형Si츤저위린참잡원제비료p형ZnO박막화p-ZnO/n-Si이질결.대ZnO∶P박막진행료광치발광보(PL)、곽이삼수、Ⅰ-Ⅴ특성、소묘전경(SEM)화X사선연사보(XRD)등측시.결과표명,획득적ZnO∶P박막연(0002)정면고취향생장,이3.33 eV근대변자외발광위주,반유2.69 eV부근적심능급록색발광봉,공혈농도위8.982 × 1017/cm3,공혈천이솔위9.595 cm2/V·s,p-ZnO/n-Si이질결I-V정류특성명현,표명ZnO∶P박막구유p형도전특성.
