半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
10期
1109-1114
,共6页
任驰%杨红%韩德栋%康晋锋%刘晓彦%韩汝琦
任馳%楊紅%韓德棟%康晉鋒%劉曉彥%韓汝琦
임치%양홍%한덕동%강진봉%류효언%한여기
Al2O3栅介质%泄漏电流输运机制%Schottky发射%Frenkel-Poole发射
Al2O3柵介質%洩漏電流輸運機製%Schottky髮射%Frenkel-Poole髮射
Al2O3책개질%설루전류수운궤제%Schottky발사%Frenkel-Poole발사
利用室温下反应磁控溅射结合炉退火的方法在P-Si(100)衬底上制备了Al2O3栅介质层,研究了不同的溅射气氛和退火条件对Al2O3栅介质层物理特性的影响.结果表明:在较高温度下N2气氛中退火有助于减小泄漏电流;在O2气氛中退火有助于减少Al2O3栅介质中的氧空位缺陷.对Al2O3栅介质泄漏电流输运机制的分析表明,在电子由衬底注入的情况下,泄漏电流主要由Schottky发射机制引起,而在电子由栅注入的情况下,泄漏电流可能由Schottky发射和Frenkel-Poole发射两种机制共同引起.
利用室溫下反應磁控濺射結閤爐退火的方法在P-Si(100)襯底上製備瞭Al2O3柵介質層,研究瞭不同的濺射氣氛和退火條件對Al2O3柵介質層物理特性的影響.結果錶明:在較高溫度下N2氣氛中退火有助于減小洩漏電流;在O2氣氛中退火有助于減少Al2O3柵介質中的氧空位缺陷.對Al2O3柵介質洩漏電流輸運機製的分析錶明,在電子由襯底註入的情況下,洩漏電流主要由Schottky髮射機製引起,而在電子由柵註入的情況下,洩漏電流可能由Schottky髮射和Frenkel-Poole髮射兩種機製共同引起.
이용실온하반응자공천사결합로퇴화적방법재P-Si(100)츤저상제비료Al2O3책개질층,연구료불동적천사기분화퇴화조건대Al2O3책개질층물리특성적영향.결과표명:재교고온도하N2기분중퇴화유조우감소설루전류;재O2기분중퇴화유조우감소Al2O3책개질중적양공위결함.대Al2O3책개질설루전류수운궤제적분석표명,재전자유츤저주입적정황하,설루전류주요유Schottky발사궤제인기,이재전자유책주입적정황하,설루전류가능유Schottky발사화Frenkel-Poole발사량충궤제공동인기.
