真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2012年
2期
140-144
,共5页
赵湘辉%魏爱香%招瑜%刘俊
趙湘輝%魏愛香%招瑜%劉俊
조상휘%위애향%초유%류준
太阳能电池%CuInSe2薄膜%磁控溅射%硒化工艺
太暘能電池%CuInSe2薄膜%磁控濺射%硒化工藝
태양능전지%CuInSe2박막%자공천사%서화공예
采用直流磁控溅射技术,首先在玻璃衬底上制备Mo薄膜,然后制备CuIn预制层.以固态硒粉为硒源,采用硒薄膜法和硒蒸气法两种硒化工艺,经过三步升温硒化方式对CuIn预制膜进行硒化制备CuInSe2薄膜.通过X射线衍射、能量散射谱和扫描电镜测试分析手段,分析CuIn预制膜和每一步硒化热处理后薄膜结构和形貌的变化.结果表明:两种方法硒化后均形成具有单一黄铜矿相结构的CuInSe2薄膜,薄膜具有(112)面择优取向,硒蒸气法形成的晶粒较大,但均匀性差.
採用直流磁控濺射技術,首先在玻璃襯底上製備Mo薄膜,然後製備CuIn預製層.以固態硒粉為硒源,採用硒薄膜法和硒蒸氣法兩種硒化工藝,經過三步升溫硒化方式對CuIn預製膜進行硒化製備CuInSe2薄膜.通過X射線衍射、能量散射譜和掃描電鏡測試分析手段,分析CuIn預製膜和每一步硒化熱處理後薄膜結構和形貌的變化.結果錶明:兩種方法硒化後均形成具有單一黃銅礦相結構的CuInSe2薄膜,薄膜具有(112)麵擇優取嚮,硒蒸氣法形成的晶粒較大,但均勻性差.
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