人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2010年
4期
895-899
,共5页
肖宗湖%张萌%熊传兵%江风益%王光绪%熊贻婧%汪延明
肖宗湖%張萌%熊傳兵%江風益%王光緒%熊貽婧%汪延明
초종호%장맹%웅전병%강풍익%왕광서%웅이청%왕연명
Si衬底%InGaN/GaN%LED%裂纹%应力
Si襯底%InGaN/GaN%LED%裂紋%應力
Si츤저%InGaN/GaN%LED%렬문%응력
本文通过XRD和PL等分析方法研究了在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层和InGaN阱层的应力状态,以及裂纹对其应力状态的影响.XRD结果表明:在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层受到张应力,在受到一定的外加应力后会以裂纹及裂纹增生的方式释放.随着裂纹数量的增加,n型GaN层受到的张应力逐渐减小,但仍处于张应力状态;n型GaN层张应力的减小使得InGaN阱层受到的压应力增大.PL分析进一步表明:InGaN阱层受到的压应力增大使得量子限制Stark效应更加明显,禁带宽度减小,发光波长表现为红移.
本文通過XRD和PL等分析方法研究瞭在Si襯底生長的GaN基LED外延薄膜n型GaN層和InGaN阱層的應力狀態,以及裂紋對其應力狀態的影響.XRD結果錶明:在Si襯底生長的GaN基LED外延薄膜n型GaN層受到張應力,在受到一定的外加應力後會以裂紋及裂紋增生的方式釋放.隨著裂紋數量的增加,n型GaN層受到的張應力逐漸減小,但仍處于張應力狀態;n型GaN層張應力的減小使得InGaN阱層受到的壓應力增大.PL分析進一步錶明:InGaN阱層受到的壓應力增大使得量子限製Stark效應更加明顯,禁帶寬度減小,髮光波長錶現為紅移.
본문통과XRD화PL등분석방법연구료재Si츤저생장적GaN기LED외연박막n형GaN층화InGaN정층적응력상태,이급렬문대기응력상태적영향.XRD결과표명:재Si츤저생장적GaN기LED외연박막n형GaN층수도장응력,재수도일정적외가응력후회이렬문급렬문증생적방식석방.수착렬문수량적증가,n형GaN층수도적장응력축점감소,단잉처우장응력상태;n형GaN층장응력적감소사득InGaN정층수도적압응력증대.PL분석진일보표명:InGaN정층수도적압응력증대사득양자한제Stark효응경가명현,금대관도감소,발광파장표현위홍이.
