电子设计工程
電子設計工程
전자설계공정
ELECTRONIC DESIGN ENGINEERING
2011年
16期
190-192
,共3页
化学机械抛光%阻挡层%氮化钛%抛光液
化學機械拋光%阻擋層%氮化鈦%拋光液
화학궤계포광%조당층%담화태%포광액
chemical mechanical polising（CMP）%barrier%titanium nitride%slurry
为了解决Cu互连线污染和形成高阻铜硅化物以及Cu与SiO2粘附性差等问题,提出增加扩散阻挡层的解决方案。主要关于氮化钛阻挡层化学机械抛光的研究。分析了氮化钛的抛光机理,研究了氧化剂浓度及抛光液的pH对抛光速率的影响,最后配制了适合氮化钛阻挡层的碱性抛光液。
為瞭解決Cu互連線汙染和形成高阻銅硅化物以及Cu與SiO2粘附性差等問題,提齣增加擴散阻擋層的解決方案。主要關于氮化鈦阻擋層化學機械拋光的研究。分析瞭氮化鈦的拋光機理,研究瞭氧化劑濃度及拋光液的pH對拋光速率的影響,最後配製瞭適閤氮化鈦阻擋層的堿性拋光液。
위료해결Cu호련선오염화형성고조동규화물이급Cu여SiO2점부성차등문제,제출증가확산조당층적해결방안。주요관우담화태조당층화학궤계포광적연구。분석료담화태적포광궤리,연구료양화제농도급포광액적pH대포광속솔적영향,최후배제료괄합담화태조당층적감성포광액。
In order to solve the Cu pollution,the formation of high resistance Cu-silicide,poor adhesion,a diffusion barrier solutions is proposed.In this paper,titanium nitride barrier layer chemical mechanical polishing is introduced.The polishing mechanism of titanium nitride is analyzed,and the concentration of the oxidant and the pH value of slurry on polishing rate are studied,at last the alkaline slurry for titanium nitride barrier layer is deployed.
