发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2011年
9期
907-912
,共6页
崔冬萌%贾锐%谢泉%赵珂杰
崔鼕萌%賈銳%謝泉%趙珂傑
최동맹%가예%사천%조가걸
Ru2Si3%第一性原理%应力%电子结构
Ru2Si3%第一性原理%應力%電子結構
Ru2Si3%제일성원리%응력%전자결구
采用基于第一性原理的密度泛函理论(Density functional theory)赝势平面波方法,对应力下Ru2Si3的电子结构和光学性质进行了理论计算和比较.计算结果表明:随着正应力的逐渐增大,导带向高能方向移动,带隙Eg明显展宽；随着负应力的逐渐增大,带隙缓慢减小并且始终为直接带隙.光学性质曲线随着负应力的不断减小至正应力的不断增大都向高能方向漂移.
採用基于第一性原理的密度汎函理論(Density functional theory)贗勢平麵波方法,對應力下Ru2Si3的電子結構和光學性質進行瞭理論計算和比較.計算結果錶明:隨著正應力的逐漸增大,導帶嚮高能方嚮移動,帶隙Eg明顯展寬；隨著負應力的逐漸增大,帶隙緩慢減小併且始終為直接帶隙.光學性質麯線隨著負應力的不斷減小至正應力的不斷增大都嚮高能方嚮漂移.
채용기우제일성원리적밀도범함이론(Density functional theory)안세평면파방법,대응력하Ru2Si3적전자결구화광학성질진행료이론계산화비교.계산결과표명:수착정응력적축점증대,도대향고능방향이동,대극Eg명현전관；수착부응력적축점증대,대극완만감소병차시종위직접대극.광학성질곡선수착부응력적불단감소지정응력적불단증대도향고능방향표이.
