电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2011年
9期
24-26,35
,共4页
黄国贤%姜胜林%郭立%张光祖%翁俊梅
黃國賢%薑勝林%郭立%張光祖%翁俊梅
황국현%강성림%곽립%장광조%옹준매
氧化锌压敏电阻%Zn2SiO4掺杂%晶粒%电学性能
氧化鋅壓敏電阻%Zn2SiO4摻雜%晶粒%電學性能
양화자압민전조%Zn2SiO4참잡%정립%전학성능
采用普通陶瓷工艺制备了Zn2SiO4掺杂的氧化锌压敏电阻,研究了Zn2SiO4掺杂量对氧化锌压敏电阻的致密度,晶粒微观结构,小电流性能和通流能力的影响.结果表明:当Zn2SiO4掺杂量达到0.75％(摩尔分数)时,氧化锌压敏电阻晶粒致密均匀；电学性能得到改善,压敏电压梯度和非线性系数分别高达438 V/mm和85,漏电流为0.15 μA,样品在耐受5kA电流下的8/20μs脉冲电流波后,残压比和压敏电压变化率分别为2.0和4.0％.
採用普通陶瓷工藝製備瞭Zn2SiO4摻雜的氧化鋅壓敏電阻,研究瞭Zn2SiO4摻雜量對氧化鋅壓敏電阻的緻密度,晶粒微觀結構,小電流性能和通流能力的影響.結果錶明:噹Zn2SiO4摻雜量達到0.75％(摩爾分數)時,氧化鋅壓敏電阻晶粒緻密均勻；電學性能得到改善,壓敏電壓梯度和非線性繫數分彆高達438 V/mm和85,漏電流為0.15 μA,樣品在耐受5kA電流下的8/20μs脈遲電流波後,殘壓比和壓敏電壓變化率分彆為2.0和4.0％.
채용보통도자공예제비료Zn2SiO4참잡적양화자압민전조,연구료Zn2SiO4참잡량대양화자압민전조적치밀도,정립미관결구,소전류성능화통류능력적영향.결과표명:당Zn2SiO4참잡량체도0.75％(마이분수)시,양화자압민전조정립치밀균균；전학성능득도개선,압민전압제도화비선성계수분별고체438 V/mm화85,루전류위0.15 μA,양품재내수5kA전류하적8/20μs맥충전류파후,잔압비화압민전압변화솔분별위2.0화4.0％.
