重庆邮电大学学报（自然科学版）
重慶郵電大學學報（自然科學版）
중경유전대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF CHONGQING UNIVERSITY OF POSTS AND TELECOMMUNICATIONS(NATURAL SCIENCE EDITION)
2009年
1期
74-77
,共4页
SiC%埋沟MOSFET%C-V特性%界面态
SiC%埋溝MOSFET%C-V特性%界麵態
SiC%매구MOSFET%C-V특성%계면태
研究了6H-SiC埋沟MOSFET器件的电容-电压解析模型,分析了埋沟MOSFET各种工作模式下的电容与电压之间的关系.在建模过程中考虑了SiO2/SiC界面态及PN结的影响,并仿真分析了耗尽模式、夹断模式下器件总的C-V特性的模型.由于在假设界面态密度分布均匀条件下,对界面态做了简化处理,因而计算结果与实验结果有所差异.
研究瞭6H-SiC埋溝MOSFET器件的電容-電壓解析模型,分析瞭埋溝MOSFET各種工作模式下的電容與電壓之間的關繫.在建模過程中攷慮瞭SiO2/SiC界麵態及PN結的影響,併倣真分析瞭耗儘模式、夾斷模式下器件總的C-V特性的模型.由于在假設界麵態密度分佈均勻條件下,對界麵態做瞭簡化處理,因而計算結果與實驗結果有所差異.
연구료6H-SiC매구MOSFET기건적전용-전압해석모형,분석료매구MOSFET각충공작모식하적전용여전압지간적관계.재건모과정중고필료SiO2/SiC계면태급PN결적영향,병방진분석료모진모식、협단모식하기건총적C-V특성적모형.유우재가설계면태밀도분포균균조건하,대계면태주료간화처리,인이계산결과여실험결과유소차이.
