功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2008年
6期
966-970,982
,共6页
多层膜%磁控溅射%方块电阻
多層膜%磁控濺射%方塊電阻
다층막%자공천사%방괴전조
用直流磁控溅射和热氧化法在玻璃衬底上制备ZnO/In2O3透明导电多层膜,当总厚度一定时,调节溅射沉积的层数与相应各层膜的厚度,研究该多层膜微观结构、光学性能和电学性能的变化.XRD和SEM分析表明:随着溅射沉积层数的增加,In2O3衍射峰的强度不断地减弱,ZnO衍射峰出现了不同的晶面择优取向;多层膜表面的ZnO晶粒粒径变小,光洁度增加.四探针法方块电阻测试表明:低温热氧化时,ZnO/In2O3多层膜的方块电阻随层数的增加而上升;高温氧化时,ZnO/In2O3多层膜的方块电阻随层数的增加而下降.可见光光谱分析表明:随着溅射沉积层数的增加,ZnO/In2O3多薄膜在可见光区的平均透过率增大,透过率的峰值向短波方向偏移.
用直流磁控濺射和熱氧化法在玻璃襯底上製備ZnO/In2O3透明導電多層膜,噹總厚度一定時,調節濺射沉積的層數與相應各層膜的厚度,研究該多層膜微觀結構、光學性能和電學性能的變化.XRD和SEM分析錶明:隨著濺射沉積層數的增加,In2O3衍射峰的彊度不斷地減弱,ZnO衍射峰齣現瞭不同的晶麵擇優取嚮;多層膜錶麵的ZnO晶粒粒徑變小,光潔度增加.四探針法方塊電阻測試錶明:低溫熱氧化時,ZnO/In2O3多層膜的方塊電阻隨層數的增加而上升;高溫氧化時,ZnO/In2O3多層膜的方塊電阻隨層數的增加而下降.可見光光譜分析錶明:隨著濺射沉積層數的增加,ZnO/In2O3多薄膜在可見光區的平均透過率增大,透過率的峰值嚮短波方嚮偏移.
용직류자공천사화열양화법재파리츤저상제비ZnO/In2O3투명도전다층막,당총후도일정시,조절천사침적적층수여상응각층막적후도,연구해다층막미관결구、광학성능화전학성능적변화.XRD화SEM분석표명:수착천사침적층수적증가,In2O3연사봉적강도불단지감약,ZnO연사봉출현료불동적정면택우취향;다층막표면적ZnO정립립경변소,광길도증가.사탐침법방괴전조측시표명:저온열양화시,ZnO/In2O3다층막적방괴전조수층수적증가이상승;고온양화시,ZnO/In2O3다층막적방괴전조수층수적증가이하강.가견광광보분석표명:수착천사침적층수적증가,ZnO/In2O3다박막재가견광구적평균투과솔증대,투과솔적봉치향단파방향편이.
