基于AlGaN/GaN HEMT的X波段内匹配功率合成放大器的设计
기우AlGaN/GaN HEMT적X파단내필배공솔합성방대기적설계
X-Band Internally Matched AIGaN/GaN HEMT Power Amplifier
  • 万方数据
    电子器件 전자기건
    JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
    2008年 6期 1794-1796 ,共3页

    曾轩%陈晓娟%刘果果%袁婷婷%陈中子%张辉%王亮%李诚瞻%庞磊%刘新宇%刘键

    증헌%진효연%류과과%원정정%진중자%장휘%왕량%리성첨%방뢰%류신우%류건

    AlGaN/GaN%HEMT%内匹配%功率合成%功率放大器 AlGaN/GaN%HEMT%內匹配%功率閤成%功率放大器
    AlGaN/GaN%HEMT%내필배%공솔합성%공솔방대기
    利用内匹配和功率合成技术设计了X波段AlGaN/GaN HEMT功率合成放大器.电路包含有四个AlGaN/GaN HEMT和制作在Al2O3陶瓷基片上的输入输出匹配电路.在偏置条件VDS=30 V,IDS=700 mA时8 GHz测出连续波饱和输出功率达到Pat=40 dBm(10 W),最大PAE=37.44%,线性增益9 dB.
    이용내필배화공솔합성기술설계료X파단AlGaN/GaN HEMT공솔합성방대기.전로포함유사개AlGaN/GaN HEMT화제작재Al2O3도자기편상적수입수출필배전로.재편치조건VDS=30 V,IDS=700 mA시8 GHz측출련속파포화수출공솔체도Pat=40 dBm(10 W),최대PAE=37.44%,선성증익9 dB.
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