微细加工技术
微細加工技術
미세가공기술
MICROFABRICATION TECHNOLOGY
2008年
4期
35-38
,共4页
朱继国%丁万昱%王华林%张树旺%张粲%张俊计%柴卫平
硃繼國%丁萬昱%王華林%張樹旺%張粲%張俊計%柴衛平
주계국%정만욱%왕화림%장수왕%장찬%장준계%시위평
Mo薄膜%直流脉冲磁控溅射%晶粒尺寸%光电性能
Mo薄膜%直流脈遲磁控濺射%晶粒呎吋%光電性能
Mo박막%직류맥충자공천사%정립척촌%광전성능
利用直流脉冲磁控溅射方法在玻璃衬底上制备太阳电池背接触Mo薄膜.通过台阶仪、四探针电阻仪、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计等研究了Ar气压强对薄膜结构及光电性能的影响,结果表明,在低的Ar气压强下制备的Mo薄膜晶粒尺寸较大,薄膜结晶质量好,薄膜具有优良的光电性能,Ar气压强的增加将导致薄膜的晶粒尺寸减小,薄膜结晶质量差,结构疏松,从而降低薄膜的光电性能.Ar气压强为0.4 Pa时制备薄膜的晶粒尺寸为21.02 nm,电阻率最低,为14μΩ·cm,波长190 nm-850 nm范围内的平均反射率可达到66.94%.
利用直流脈遲磁控濺射方法在玻璃襯底上製備太暘電池揹接觸Mo薄膜.通過檯階儀、四探針電阻儀、X射線衍射儀、紫外-可見分光光度計等研究瞭Ar氣壓彊對薄膜結構及光電性能的影響,結果錶明,在低的Ar氣壓彊下製備的Mo薄膜晶粒呎吋較大,薄膜結晶質量好,薄膜具有優良的光電性能,Ar氣壓彊的增加將導緻薄膜的晶粒呎吋減小,薄膜結晶質量差,結構疏鬆,從而降低薄膜的光電性能.Ar氣壓彊為0.4 Pa時製備薄膜的晶粒呎吋為21.02 nm,電阻率最低,為14μΩ·cm,波長190 nm-850 nm範圍內的平均反射率可達到66.94%.
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