稀有金属材料与工程
稀有金屬材料與工程
희유금속재료여공정
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
2007年
11期
2000-2002
,共3页
王天生%田永君%于栋利%迟振华%胡前库%罗晓光
王天生%田永君%于棟利%遲振華%鬍前庫%囉曉光
왕천생%전영군%우동리%지진화%호전고%라효광
MgB2薄膜%微观结构%超导电性%热丝化学气相沉积
MgB2薄膜%微觀結構%超導電性%熱絲化學氣相沉積
MgB2박막%미관결구%초도전성%열사화학기상침적
用热丝化学气相沉积法(HFCVD)在蓝宝石基片上原位制备了MgB2超导薄膜,并用XRD、SEM和dc SQUIDs研究了基片温度和时间对薄膜相组成、表面形貌和超导临界转变温度Tc的影响.结果表明,HFCVD原位生长MgB2薄膜可以抑制MgO杂质的生成.基片温度在500℃以下,MgB4杂相容易出现;在500℃以上时,可以消除MgB4杂相;在600℃时,获得了纯单相的MgB2薄膜,其超导临界转变温度达到36 K.随基片温度升高,薄膜结晶性、致密度和超导临界转变温度提高.
用熱絲化學氣相沉積法(HFCVD)在藍寶石基片上原位製備瞭MgB2超導薄膜,併用XRD、SEM和dc SQUIDs研究瞭基片溫度和時間對薄膜相組成、錶麵形貌和超導臨界轉變溫度Tc的影響.結果錶明,HFCVD原位生長MgB2薄膜可以抑製MgO雜質的生成.基片溫度在500℃以下,MgB4雜相容易齣現;在500℃以上時,可以消除MgB4雜相;在600℃時,穫得瞭純單相的MgB2薄膜,其超導臨界轉變溫度達到36 K.隨基片溫度升高,薄膜結晶性、緻密度和超導臨界轉變溫度提高.
용열사화학기상침적법(HFCVD)재람보석기편상원위제비료MgB2초도박막,병용XRD、SEM화dc SQUIDs연구료기편온도화시간대박막상조성、표면형모화초도림계전변온도Tc적영향.결과표명,HFCVD원위생장MgB2박막가이억제MgO잡질적생성.기편온도재500℃이하,MgB4잡상용역출현;재500℃이상시,가이소제MgB4잡상;재600℃시,획득료순단상적MgB2박막,기초도림계전변온도체도36 K.수기편온도승고,박막결정성、치밀도화초도림계전변온도제고.
