微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2007年
6期
794-797
,共4页
宽带%锁相环%LC谐振腔%VCO%相位噪声
寬帶%鎖相環%LC諧振腔%VCO%相位譟聲
관대%쇄상배%LC해진강%VCO%상위조성
设计了一款1.9～4.3 GHz的单片集成宽带VCO.采用三个低相位噪声LC VCO在频率上互相重叠的架构实现高频宽带特性,VCO内部集成中间抽头的差分电感.电路制造采用0.35μm SiGe BiCMOS.工艺技术,VCO的工作频率达1.9～4.3 GHz,单元功耗仅为4 mA.在工作频率为2.46 GHz处,经过÷2分频器输出的相位噪声实测值为-97 dBc/Hz(100 kHz频偏下).
設計瞭一款1.9～4.3 GHz的單片集成寬帶VCO.採用三箇低相位譟聲LC VCO在頻率上互相重疊的架構實現高頻寬帶特性,VCO內部集成中間抽頭的差分電感.電路製造採用0.35μm SiGe BiCMOS.工藝技術,VCO的工作頻率達1.9～4.3 GHz,單元功耗僅為4 mA.在工作頻率為2.46 GHz處,經過÷2分頻器輸齣的相位譟聲實測值為-97 dBc/Hz(100 kHz頻偏下).
설계료일관1.9～4.3 GHz적단편집성관대VCO.채용삼개저상위조성LC VCO재빈솔상호상중첩적가구실현고빈관대특성,VCO내부집성중간추두적차분전감.전로제조채용0.35μm SiGe BiCMOS.공예기술,VCO적공작빈솔체1.9～4.3 GHz,단원공모부위4 mA.재공작빈솔위2.46 GHz처,경과÷2분빈기수출적상위조성실측치위-97 dBc/Hz(100 kHz빈편하).
