AlGaN/GaN背对背肖特基二极管氢气传感器
AlGaN/GaN배대배초특기이겁관경기전감기
Hydrogen Sensors Based on AlGaN/GaN Back-to-Back Schottky Diodes
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2008年 1期 153-156 ,共4页

    王新华%王晓亮%冯春%冉军学%肖红领%杨翠柏%王保柱%王军喜

    왕신화%왕효량%풍춘%염군학%초홍령%양취백%왕보주%왕군희

    GaN%气体传感器%肖特基二极管 GaN%氣體傳感器%肖特基二極管
    GaN%기체전감기%초특기이겁관
    通过溅射的方法制作了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管并测试了该器件对氢气的响应.研究了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管在25和100℃时对于10%H2(N2气中)的响应,计算了器件的灵敏度;并比较了两种温度条件下器件对于氢气响应的快慢;空气中的氧气对于器件电流的恢复有重要的作用;最后由热电子发射公式计算了器件在通入10%的氢气前后有效势垒高度的变化.
    통과천사적방법제작료Pt/AlGaN/GaN배대배초특기이겁관병측시료해기건대경기적향응.연구료Pt/AlGaN/GaN배대배초특기이겁관재25화100℃시대우10%H2(N2기중)적향응,계산료기건적령민도;병비교료량충온도조건하기건대우경기향응적쾌만;공기중적양기대우기건전류적회복유중요적작용;최후유열전자발사공식계산료기건재통입10%적경기전후유효세루고도적변화.
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