光通信研究
光通信研究
광통신연구
STUDY ON OPTICAL COMMUNICATIONS
2007年
6期
43-46
,共4页
InGaAs雪崩光电二极管%吸收区倍增区渐变分离-雪崩光电二极管%光谱响应范围%响应度%暗电流
InGaAs雪崩光電二極管%吸收區倍增區漸變分離-雪崩光電二極管%光譜響應範圍%響應度%暗電流
InGaAs설붕광전이겁관%흡수구배증구점변분리-설붕광전이겁관%광보향응범위%향응도%암전류
文章中设计的四象限InGaAs雪崩光电二极管(Avalanche Photo Diode,APD)的管芯结构采用正入光式平面型结构,而材料结构采用吸收区、倍增区渐变分离的APD结构,在对响应时间、暗电流和响应度等参数进行计算与分析的基础上,优化了器件结构参数.试验结果表明,其响应时间≤1.5 ns,响应度≥9.5 A/W,暗电流≤40 nA,可靠性设计时使PN结和倍增层均在器件表面以下,可有效抑制器件表面漏电流,提高器件的可靠性.
文章中設計的四象限InGaAs雪崩光電二極管(Avalanche Photo Diode,APD)的管芯結構採用正入光式平麵型結構,而材料結構採用吸收區、倍增區漸變分離的APD結構,在對響應時間、暗電流和響應度等參數進行計算與分析的基礎上,優化瞭器件結構參數.試驗結果錶明,其響應時間≤1.5 ns,響應度≥9.5 A/W,暗電流≤40 nA,可靠性設計時使PN結和倍增層均在器件錶麵以下,可有效抑製器件錶麵漏電流,提高器件的可靠性.
문장중설계적사상한InGaAs설붕광전이겁관(Avalanche Photo Diode,APD)적관심결구채용정입광식평면형결구,이재료결구채용흡수구、배증구점변분리적APD결구,재대향응시간、암전류화향응도등삼수진행계산여분석적기출상,우화료기건결구삼수.시험결과표명,기향응시간≤1.5 ns,향응도≥9.5 A/W,암전류≤40 nA,가고성설계시사PN결화배증층균재기건표면이하,가유효억제기건표면루전류,제고기건적가고성.
