半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
369-371
,共3页
硅基n-SiOxNy宽带隙半导体薄膜%硅基异质结二极管%FN隧道导电机制
硅基n-SiOxNy寬帶隙半導體薄膜%硅基異質結二極管%FN隧道導電機製
규기n-SiOxNy관대극반도체박막%규기이질결이겁관%FN수도도전궤제
n-SiOxNy是硅上热生长的超薄绝缘SiOxNy薄膜在电、热应力作用下形成的一种具有双施主型掺杂的宽带隙(Eg=9eV)n-型半导体材料.随着施加电应力时的环境温度的增加,n-SiOxNy的形成效率显著增加.其形成时间的对数lnt随着应力电压、应力环境温度的增加而减小并呈近似的线性关系.n-SiOxNy中的双施主能级是一种施主型的双缺陷能级,当电应力引导的施主缺陷密度达到1.26×1020cm-3时,SiOxNy,绝缘薄膜呈现n型半导体导电特性.在n-Si或p-Si衬底上形成的硅基异质结n-SiOxNy/n-Si或n-SiOxNy/p-Si二极管的I-V特性具有饱和性质,在电压大于1V的电压区,I-V特性可以用1eV势垒的FN隧道机制来描述.当衬底Si的掺杂增加时,势垒高度下降.
n-SiOxNy是硅上熱生長的超薄絕緣SiOxNy薄膜在電、熱應力作用下形成的一種具有雙施主型摻雜的寬帶隙(Eg=9eV)n-型半導體材料.隨著施加電應力時的環境溫度的增加,n-SiOxNy的形成效率顯著增加.其形成時間的對數lnt隨著應力電壓、應力環境溫度的增加而減小併呈近似的線性關繫.n-SiOxNy中的雙施主能級是一種施主型的雙缺陷能級,噹電應力引導的施主缺陷密度達到1.26×1020cm-3時,SiOxNy,絕緣薄膜呈現n型半導體導電特性.在n-Si或p-Si襯底上形成的硅基異質結n-SiOxNy/n-Si或n-SiOxNy/p-Si二極管的I-V特性具有飽和性質,在電壓大于1V的電壓區,I-V特性可以用1eV勢壘的FN隧道機製來描述.噹襯底Si的摻雜增加時,勢壘高度下降.
n-SiOxNy시규상열생장적초박절연SiOxNy박막재전、열응력작용하형성적일충구유쌍시주형참잡적관대극(Eg=9eV)n-형반도체재료.수착시가전응력시적배경온도적증가,n-SiOxNy적형성효솔현저증가.기형성시간적대수lnt수착응력전압、응력배경온도적증가이감소병정근사적선성관계.n-SiOxNy중적쌍시주능급시일충시주형적쌍결함능급,당전응력인도적시주결함밀도체도1.26×1020cm-3시,SiOxNy,절연박막정현n형반도체도전특성.재n-Si혹p-Si츤저상형성적규기이질결n-SiOxNy/n-Si혹n-SiOxNy/p-Si이겁관적I-V특성구유포화성질,재전압대우1V적전압구,I-V특성가이용1eV세루적FN수도궤제래묘술.당츤저Si적참잡증가시,세루고도하강.
