半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
149-152
,共4页
顾启琳%陈旭东%凌志聪%梅永丰%傅劲裕%萧季驹%朱剑豪
顧啟琳%陳旭東%凌誌聰%梅永豐%傅勁裕%蕭季駒%硃劍豪
고계림%진욱동%릉지총%매영봉%부경유%소계구%주검호
PIII&D%ZnO/p-Si异质结%Anderson模型%空间电荷限制模型%电流输运
PIII&D%ZnO/p-Si異質結%Anderson模型%空間電荷限製模型%電流輸運
PIII&D%ZnO/p-Si이질결%Anderson모형%공간전하한제모형%전류수운
采用等离子体浸没离子注入沉积方法,在p型Si衬底上制备了具有整流特性的、非故意掺杂的以及掺氮的ZnO/p-Si异质结.非故意掺杂的ZnO薄膜为n型(电子浓度为1019cm-3数量级),掺氮的ZnO薄膜为高阻(电阻率为105Ω·cm数量级).非故意掺杂的ZnO/p-Si异质结在正向偏压下,当偏压大于0.4V,电流遵循欧姆定律.然而对于掺氮的ZnO/p-Si样品,当偏压小于1.0V时,电流表现为欧姆特性,当偏压大于2.5V时,电流密度与电压的平方成正比的关系.分别用Anderson模型和空间电荷限制电流模型对非故意掺杂和掺氮的ZnO/p-Si异质结二极管的电流输运特性进行了解释.
採用等離子體浸沒離子註入沉積方法,在p型Si襯底上製備瞭具有整流特性的、非故意摻雜的以及摻氮的ZnO/p-Si異質結.非故意摻雜的ZnO薄膜為n型(電子濃度為1019cm-3數量級),摻氮的ZnO薄膜為高阻(電阻率為105Ω·cm數量級).非故意摻雜的ZnO/p-Si異質結在正嚮偏壓下,噹偏壓大于0.4V,電流遵循歐姆定律.然而對于摻氮的ZnO/p-Si樣品,噹偏壓小于1.0V時,電流錶現為歐姆特性,噹偏壓大于2.5V時,電流密度與電壓的平方成正比的關繫.分彆用Anderson模型和空間電荷限製電流模型對非故意摻雜和摻氮的ZnO/p-Si異質結二極管的電流輸運特性進行瞭解釋.
채용등리자체침몰리자주입침적방법,재p형Si츤저상제비료구유정류특성적、비고의참잡적이급참담적ZnO/p-Si이질결.비고의참잡적ZnO박막위n형(전자농도위1019cm-3수량급),참담적ZnO박막위고조(전조솔위105Ω·cm수량급).비고의참잡적ZnO/p-Si이질결재정향편압하,당편압대우0.4V,전류준순구모정률.연이대우참담적ZnO/p-Si양품,당편압소우1.0V시,전류표현위구모특성,당편압대우2.5V시,전류밀도여전압적평방성정비적관계.분별용Anderson모형화공간전하한제전류모형대비고의참잡화참담적ZnO/p-Si이질결이겁관적전류수운특성진행료해석.
