功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2007年
5期
503-506
,共4页
蔡小五%海潮和%王立新%陆江
蔡小五%海潮和%王立新%陸江
채소오%해조화%왕립신%륙강
VDMOS%超结%击穿电压%导通电阻
VDMOS%超結%擊穿電壓%導通電阻
VDMOS%초결%격천전압%도통전조
由于"Silicon Limit"的限制,VDMOS的导通电阻不能很大程度的降低,为了突破这一极限,超结VDMOS结构被采用,本文采用氮化硅硬掩模和高能硼注入在n型外延层中形成交替的p型区从而形成超结结构.利用ISE-TCAD模拟器进行工艺器件模拟,模拟结果表明击穿电压最大有40%的提高,同时导通电阻也有明显的降低.采用高能注入形成超结VDMOS为减小VDMOS导通电阻提供了一种切实有效的方法.
由于"Silicon Limit"的限製,VDMOS的導通電阻不能很大程度的降低,為瞭突破這一極限,超結VDMOS結構被採用,本文採用氮化硅硬掩模和高能硼註入在n型外延層中形成交替的p型區從而形成超結結構.利用ISE-TCAD模擬器進行工藝器件模擬,模擬結果錶明擊穿電壓最大有40%的提高,同時導通電阻也有明顯的降低.採用高能註入形成超結VDMOS為減小VDMOS導通電阻提供瞭一種切實有效的方法.
유우"Silicon Limit"적한제,VDMOS적도통전조불능흔대정도적강저,위료돌파저일겁한,초결VDMOS결구피채용,본문채용담화규경엄모화고능붕주입재n형외연층중형성교체적p형구종이형성초결결구.이용ISE-TCAD모의기진행공예기건모의,모의결과표명격천전압최대유40%적제고,동시도통전조야유명현적강저.채용고능주입형성초결VDMOS위감소VDMOS도통전조제공료일충절실유효적방법.
