电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2007年
5期
1539-1541
,共3页
张书敬%杨瑞霞%崔玉兴%杨克武
張書敬%楊瑞霞%崔玉興%楊剋武
장서경%양서하%최옥흥%양극무
AuGeNi/Au%砷化镓%欧姆接触
AuGeNi/Au%砷化鎵%歐姆接觸
AuGeNi/Au%신화가%구모접촉
研究了AuGeNi/Au金属系统中 Ni含量对n-GaAs欧姆接触的影响,用传输线法对接触电阻进行了测试,在原子力显微镜观测了合金表面形貌,测试了高温存储后接触电阻的变化.结果表明:Ni含量占AuGe的8%wt左右,Ge与Ni的厚度比在1.6:1左右时,可以得到相对比较好的欧姆接触.
研究瞭AuGeNi/Au金屬繫統中 Ni含量對n-GaAs歐姆接觸的影響,用傳輸線法對接觸電阻進行瞭測試,在原子力顯微鏡觀測瞭閤金錶麵形貌,測試瞭高溫存儲後接觸電阻的變化.結果錶明:Ni含量佔AuGe的8%wt左右,Ge與Ni的厚度比在1.6:1左右時,可以得到相對比較好的歐姆接觸.
연구료AuGeNi/Au금속계통중 Ni함량대n-GaAs구모접촉적영향,용전수선법대접촉전조진행료측시,재원자력현미경관측료합금표면형모,측시료고온존저후접촉전조적변화.결과표명:Ni함량점AuGe적8%wt좌우,Ge여Ni적후도비재1.6:1좌우시,가이득도상대비교호적구모접촉.