半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
11期
961-963,987
,共4页
武壮文%郑安生%于洪国%赵静敏%袁泽海%张海涛
武壯文%鄭安生%于洪國%趙靜敏%袁澤海%張海濤
무장문%정안생%우홍국%조정민%원택해%장해도
掺Si补偿Cu%n型GaAs%高阻%HB法
摻Si補償Cu%n型GaAs%高阻%HB法
참Si보상Cu%n형GaAs%고조%HB법
用水平布里奇曼法(HB法)研制掺Si补偿Cu的n-GaAs高阻单晶.既要提高多晶背景纯度,减少总杂质含量(包括减少掺Cu量和掺Si量,单晶中Cu的质量分数要≤2.00×10-5,Si的质量分数要≤1.00×10-6),又要采用熔体Cu,Si双掺的方法生长单晶,将单晶切片,并划成圆片,然后分组放入炉内在确定温度下和一定时间内进行退火.研制中发现Cu主要集中在晶体表面,导致同一晶片的上部呈p型高阻,而中下部呈n型低阻,退火可使Cu在晶片中均匀分布.
用水平佈裏奇曼法(HB法)研製摻Si補償Cu的n-GaAs高阻單晶.既要提高多晶揹景純度,減少總雜質含量(包括減少摻Cu量和摻Si量,單晶中Cu的質量分數要≤2.00×10-5,Si的質量分數要≤1.00×10-6),又要採用鎔體Cu,Si雙摻的方法生長單晶,將單晶切片,併劃成圓片,然後分組放入爐內在確定溫度下和一定時間內進行退火.研製中髮現Cu主要集中在晶體錶麵,導緻同一晶片的上部呈p型高阻,而中下部呈n型低阻,退火可使Cu在晶片中均勻分佈.
용수평포리기만법(HB법)연제참Si보상Cu적n-GaAs고조단정.기요제고다정배경순도,감소총잡질함량(포괄감소참Cu량화참Si량,단정중Cu적질량분수요≤2.00×10-5,Si적질량분수요≤1.00×10-6),우요채용용체Cu,Si쌍참적방법생장단정,장단정절편,병화성원편,연후분조방입로내재학정온도하화일정시간내진행퇴화.연제중발현Cu주요집중재정체표면,도치동일정편적상부정p형고조,이중하부정n형저조,퇴화가사Cu재정편중균균분포.
