光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2007年
10期
1173-1175
,共3页
朱慧群%丁瑞钦%庞锐%麦开强%吴劲辉
硃慧群%丁瑞欽%龐銳%麥開彊%吳勁輝
주혜군%정서흠%방예%맥개강%오경휘
直流反应溅射%n-ZnO/p-Si异质结%光探测器%光响应
直流反應濺射%n-ZnO/p-Si異質結%光探測器%光響應
직류반응천사%n-ZnO/p-Si이질결%광탐측기%광향응
采用直流反应溅射法,在一定的溅射功率和衬底温度等条件下控制气体组分,优选Ar:O2＝8:1成功研制出高响应度n-ZnO/p-Si紫外至近红外增强型广谱光探测器.实验关键是利用缺O法在n-ZnO薄膜内有效引入O缺位Vo,而Vo可增强紫蓝波段的光响应.测试结果显示,ZnO薄膜的光致发光(PL)谱除在388 nm处存在紫外带边发射主峰外,还在416 nm处出现由O缺位导致的发射峰;X射线衍射(XRD)谱表明,薄膜中的晶体为高c轴取向的纤锌矿结构;n-ZnO/p-Si光探测器在光照时I-V特性显示,光电流随反向偏压的增加迅速上升;在5 V的反向偏压下,紫外区(310～388 nm)的光响应高达0.75～1.38 A/W,紫蓝光区(400～430 nm)的光响应大大增强,400～800 nm波段的光谱响应稳定在0.90 A/W.
採用直流反應濺射法,在一定的濺射功率和襯底溫度等條件下控製氣體組分,優選Ar:O2＝8:1成功研製齣高響應度n-ZnO/p-Si紫外至近紅外增彊型廣譜光探測器.實驗關鍵是利用缺O法在n-ZnO薄膜內有效引入O缺位Vo,而Vo可增彊紫藍波段的光響應.測試結果顯示,ZnO薄膜的光緻髮光(PL)譜除在388 nm處存在紫外帶邊髮射主峰外,還在416 nm處齣現由O缺位導緻的髮射峰;X射線衍射(XRD)譜錶明,薄膜中的晶體為高c軸取嚮的纖鋅礦結構;n-ZnO/p-Si光探測器在光照時I-V特性顯示,光電流隨反嚮偏壓的增加迅速上升;在5 V的反嚮偏壓下,紫外區(310～388 nm)的光響應高達0.75～1.38 A/W,紫藍光區(400～430 nm)的光響應大大增彊,400～800 nm波段的光譜響應穩定在0.90 A/W.
채용직류반응천사법,재일정적천사공솔화츤저온도등조건하공제기체조분,우선Ar:O2＝8:1성공연제출고향응도n-ZnO/p-Si자외지근홍외증강형엄보광탐측기.실험관건시이용결O법재n-ZnO박막내유효인입O결위Vo,이Vo가증강자람파단적광향응.측시결과현시,ZnO박막적광치발광(PL)보제재388 nm처존재자외대변발사주봉외,환재416 nm처출현유O결위도치적발사봉;X사선연사(XRD)보표명,박막중적정체위고c축취향적섬자광결구;n-ZnO/p-Si광탐측기재광조시I-V특성현시,광전류수반향편압적증가신속상승;재5 V적반향편압하,자외구(310～388 nm)적광향응고체0.75～1.38 A/W,자람광구(400～430 nm)적광향응대대증강,400～800 nm파단적광보향응은정재0.90 A/W.
