物理学报
物理學報
물이학보
2007年
8期
4943-4949
,共7页
单晓楠%黄如%李炎%蔡一茂
單曉楠%黃如%李炎%蔡一茂
단효남%황여%리염%채일무
金属栅%Nisi%炉退火%快速热退火
金屬柵%Nisi%爐退火%快速熱退火
금속책%Nisi%로퇴화%쾌속열퇴화
研究了NiSi金属栅的各种电学特性及其热稳定性,提出一个物理模型用于解释当形成温度大于500℃时NiSi功函数随退火温度升高而增大的现象.测量了不同退火温度形成的.NiSi材料的方块电阻,当退火温度大于400℃时,方块电阻达到最小,并在400-600℃范围内稳定.比较各种温度下形成的NiSi材料X射线衍射谱的变化,说明温度在400-600℃范围内NiSi相为最主要的成分.制备了以NiSi为金属栅的金属氧化物半导体电容.通过等效氧化层电荷密度及击穿电场Ebd的分布研究,说明炉退火时间较长将导致NiSi金属栅与栅介质之间界面质量下降、击穿电场降低,这种退火方式不适合作为NiSi金属栅的形成方式.系统研究了在各种快速热退火(RTA)温度下形成的NiSi金属栅电容的电学特性,通过C-V,Ig-Vg曲线及氧化层等效电荷密度的比较,说明了当RTA温度大于500℃时栅介质质量明显退化,因此400-500℃为理想的NiSi金属栅形成温度范围.进一步提取并分析了400,450,500和600℃条件下RTA形成的NiSi金属栅功函数及等效氧化层电荷,发现在600℃条件下NiSi金属栅功函数和氧化层等效电荷都有一个显著的增大.
研究瞭NiSi金屬柵的各種電學特性及其熱穩定性,提齣一箇物理模型用于解釋噹形成溫度大于500℃時NiSi功函數隨退火溫度升高而增大的現象.測量瞭不同退火溫度形成的.NiSi材料的方塊電阻,噹退火溫度大于400℃時,方塊電阻達到最小,併在400-600℃範圍內穩定.比較各種溫度下形成的NiSi材料X射線衍射譜的變化,說明溫度在400-600℃範圍內NiSi相為最主要的成分.製備瞭以NiSi為金屬柵的金屬氧化物半導體電容.通過等效氧化層電荷密度及擊穿電場Ebd的分佈研究,說明爐退火時間較長將導緻NiSi金屬柵與柵介質之間界麵質量下降、擊穿電場降低,這種退火方式不適閤作為NiSi金屬柵的形成方式.繫統研究瞭在各種快速熱退火(RTA)溫度下形成的NiSi金屬柵電容的電學特性,通過C-V,Ig-Vg麯線及氧化層等效電荷密度的比較,說明瞭噹RTA溫度大于500℃時柵介質質量明顯退化,因此400-500℃為理想的NiSi金屬柵形成溫度範圍.進一步提取併分析瞭400,450,500和600℃條件下RTA形成的NiSi金屬柵功函數及等效氧化層電荷,髮現在600℃條件下NiSi金屬柵功函數和氧化層等效電荷都有一箇顯著的增大.
연구료NiSi금속책적각충전학특성급기열은정성,제출일개물리모형용우해석당형성온도대우500℃시NiSi공함수수퇴화온도승고이증대적현상.측량료불동퇴화온도형성적.NiSi재료적방괴전조,당퇴화온도대우400℃시,방괴전조체도최소,병재400-600℃범위내은정.비교각충온도하형성적NiSi재료X사선연사보적변화,설명온도재400-600℃범위내NiSi상위최주요적성분.제비료이NiSi위금속책적금속양화물반도체전용.통과등효양화층전하밀도급격천전장Ebd적분포연구,설명로퇴화시간교장장도치NiSi금속책여책개질지간계면질량하강、격천전장강저,저충퇴화방식불괄합작위NiSi금속책적형성방식.계통연구료재각충쾌속열퇴화(RTA)온도하형성적NiSi금속책전용적전학특성,통과C-V,Ig-Vg곡선급양화층등효전하밀도적비교,설명료당RTA온도대우500℃시책개질질량명현퇴화,인차400-500℃위이상적NiSi금속책형성온도범위.진일보제취병분석료400,450,500화600℃조건하RTA형성적NiSi금속책공함수급등효양화층전하,발현재600℃조건하NiSi금속책공함수화양화층등효전하도유일개현저적증대.
