CAJ | 학술논문

基于电泳和半导体工艺,制备了图形化的碳纳米管场发射阴极.用较高的电场激活碳纳米管薄膜,使得碳纳米管的场发射特性有了很大的改善,讨论了这一激活过程的物理机制.研究表明,这一激活过程可能的物理机制一方面是由于碳纳米管薄膜表面形貌发生了变化,增大了碳纳米管的场增强因子;另一方面是由于碳纳米管表面吸附的气体脱附,降低了碳纳米管的表面功函数.电场激活处理后,碳纳米管薄膜的开启电场为2.1 V/μm,应用电场为6 V/μm时,电流密度达到1.19mA/cm2.该图形化的碳纳米管场发射阴极可以应用到高分辨率场发射显示器.
기우전영화반도체공예,제비료도형화적탄납미관장발사음겁.용교고적전장격활탄납미관박막,사득탄납미관적장발사특성유료흔대적개선,토론료저일격활과정적물리궤제.연구표명,저일격활과정가능적물리궤제일방면시유우탄납미관박막표면형모발생료변화,증대료탄납미관적장증강인자;령일방면시유우탄납미관표면흡부적기체탈부,강저료탄납미관적표면공함수.전장격활처리후,탄납미관박막적개계전장위2.1 V/μm,응용전장위6 V/μm시,전류밀도체도1.19mA/cm2.해도형화적탄납미관장발사음겁가이응용도고분변솔장발사현시기.