半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
1期
100-103
,共4页
于晓东%韩军%李建军%邓军%林委之%达小丽%陈依新%沈光地
于曉東%韓軍%李建軍%鄧軍%林委之%達小麗%陳依新%瀋光地
우효동%한군%리건군%산군%림위지%체소려%진의신%침광지
红光LED%复合分布式布拉格反射镜%金属有机物化学气相淀积%光提取效率
紅光LED%複閤分佈式佈拉格反射鏡%金屬有機物化學氣相澱積%光提取效率
홍광LED%복합분포식포랍격반사경%금속유궤물화학기상정적%광제취효솔
采用光学薄膜理论中干涉矩阵模型计算了峰值波长为630nm的AlGaInP红光LED的Al0.6Ga0.4As/AlAs材料的常规DBR和复合DBR的反射谱特性,用LP-MOCVD方法生长了模拟设计的DBR结构,测量了其白光反射谱,实验与模拟结果基本符合.制备了采用Al0.6Ga0.4As/AlAs复合DBR的LED器件,未封装输出光功率为2.3mW,外量子效率为5.6%,发光效率可达12 lm/W,比常规DBR器件提高了35%.验证了复合DBR与常规DBR相比,可以大幅度提高AlGaInP红光LED的出光效率.
採用光學薄膜理論中榦涉矩陣模型計算瞭峰值波長為630nm的AlGaInP紅光LED的Al0.6Ga0.4As/AlAs材料的常規DBR和複閤DBR的反射譜特性,用LP-MOCVD方法生長瞭模擬設計的DBR結構,測量瞭其白光反射譜,實驗與模擬結果基本符閤.製備瞭採用Al0.6Ga0.4As/AlAs複閤DBR的LED器件,未封裝輸齣光功率為2.3mW,外量子效率為5.6%,髮光效率可達12 lm/W,比常規DBR器件提高瞭35%.驗證瞭複閤DBR與常規DBR相比,可以大幅度提高AlGaInP紅光LED的齣光效率.
채용광학박막이론중간섭구진모형계산료봉치파장위630nm적AlGaInP홍광LED적Al0.6Ga0.4As/AlAs재료적상규DBR화복합DBR적반사보특성,용LP-MOCVD방법생장료모의설계적DBR결구,측량료기백광반사보,실험여모의결과기본부합.제비료채용Al0.6Ga0.4As/AlAs복합DBR적LED기건,미봉장수출광공솔위2.3mW,외양자효솔위5.6%,발광효솔가체12 lm/W,비상규DBR기건제고료35%.험증료복합DBR여상규DBR상비,가이대폭도제고AlGaInP홍광LED적출광효솔.
