稀有金属
稀有金屬
희유금속
CHINESE JOURNAL OF RARE METALS
2006年
5期
619-622
,共4页
周阳%刘云山%褚立志%王英龙%彭英才%傅广生
週暘%劉雲山%褚立誌%王英龍%彭英纔%傅廣生
주양%류운산%저립지%왕영룡%팽영재%부엄생
掺铒纳米硅晶薄膜%退火温度%表面形貌
摻鉺納米硅晶薄膜%退火溫度%錶麵形貌
참이납미규정박막%퇴화온도%표면형모
采用XeCl准分子激光器交替烧蚀单晶硅靶和铒靶, 通过调整辐照两靶的激光脉冲个数比来控制掺铒浓度, 在2×10-4 Pa真空下沉积制备了掺铒非晶硅薄膜, 经900～1200 ℃热退火实现纳米晶化. 扫描电子显微镜图像显示, 铒掺杂影响着薄膜的表面形貌, 与不掺铒情况相比, 可以得到晶粒尺寸分布更均匀的薄膜, 并且晶化温度更低. 对于一个固定掺铒浓度的样品, 随着退火温度的增加, 薄膜由晶粒结构转化为迷津结构.
採用XeCl準分子激光器交替燒蝕單晶硅靶和鉺靶, 通過調整輻照兩靶的激光脈遲箇數比來控製摻鉺濃度, 在2×10-4 Pa真空下沉積製備瞭摻鉺非晶硅薄膜, 經900～1200 ℃熱退火實現納米晶化. 掃描電子顯微鏡圖像顯示, 鉺摻雜影響著薄膜的錶麵形貌, 與不摻鉺情況相比, 可以得到晶粒呎吋分佈更均勻的薄膜, 併且晶化溫度更低. 對于一箇固定摻鉺濃度的樣品, 隨著退火溫度的增加, 薄膜由晶粒結構轉化為迷津結構.
채용XeCl준분자격광기교체소식단정규파화이파, 통과조정복조량파적격광맥충개수비래공제참이농도, 재2×10-4 Pa진공하침적제비료참이비정규박막, 경900～1200 ℃열퇴화실현납미정화. 소묘전자현미경도상현시, 이참잡영향착박막적표면형모, 여불참이정황상비, 가이득도정립척촌분포경균균적박막, 병차정화온도경저. 대우일개고정참이농도적양품, 수착퇴화온도적증가, 박막유정립결구전화위미진결구.
