硅酸盐通报
硅痠鹽通報
규산염통보
BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY
2006年
4期
41-44
,共4页
殷立雄%王芬%杨茂举%黄艳
慇立雄%王芬%楊茂舉%黃豔
은립웅%왕분%양무거%황염
GaN粉体%Ga2O3%氨气%管式炉
GaN粉體%Ga2O3%氨氣%管式爐
GaN분체%Ga2O3%안기%관식로
在管式电炉中,采用Ga2O3与NH3高温常压下反应生成了GaN粉体.通过XRD和AFM对生成物进行了分析,并研究了各种工艺参数如反应温度、保温时间、NH3的流量及反应气氛等因素对生成GaN粉体的影响.结果表明用高纯Ga2O3与NH3在温度为1100℃,NH3流量为26L/h时能够合成高纯度的六方GaN粉体.
在管式電爐中,採用Ga2O3與NH3高溫常壓下反應生成瞭GaN粉體.通過XRD和AFM對生成物進行瞭分析,併研究瞭各種工藝參數如反應溫度、保溫時間、NH3的流量及反應氣氛等因素對生成GaN粉體的影響.結果錶明用高純Ga2O3與NH3在溫度為1100℃,NH3流量為26L/h時能夠閤成高純度的六方GaN粉體.
재관식전로중,채용Ga2O3여NH3고온상압하반응생성료GaN분체.통과XRD화AFM대생성물진행료분석,병연구료각충공예삼수여반응온도、보온시간、NH3적류량급반응기분등인소대생성GaN분체적영향.결과표명용고순Ga2O3여NH3재온도위1100℃,NH3류량위26L/h시능구합성고순도적륙방GaN분체.
