电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2006年
4期
10-13
,共4页
张柏顺%全祖赐%郭涛%章天金
張柏順%全祖賜%郭濤%章天金
장백순%전조사%곽도%장천금
无机非金属材料%BST薄膜%MERIE%刻蚀速率%表面形貌
無機非金屬材料%BST薄膜%MERIE%刻蝕速率%錶麵形貌
무궤비금속재료%BST박막%MERIE%각식속솔%표면형모
分别以CF4/Ar和CF4/Ar/O2作为刻蚀气体,采用磁增强反应离子刻蚀(MERIE)技术对sol-gel法制备的BST薄膜进行刻蚀.结果表明,刻蚀速率与刻蚀气体的混合比率呈现非单调特性.当CF4/Ar的气体流量比R(CF4:Ar)为10:40时,刻蚀速率达到极大值.当CF4/Ar/O2的气体流量比R(CF4:Ar:O2)为9:36:5时,刻蚀速率达到最大值,最大刻蚀速率为8.47 nm/min.原子力显微镜(AFM)分析表明,刻蚀后的薄膜表面粗糙度变大.对刻蚀后的薄膜再进行适当的热处理,可以去除部分残留物.
分彆以CF4/Ar和CF4/Ar/O2作為刻蝕氣體,採用磁增彊反應離子刻蝕(MERIE)技術對sol-gel法製備的BST薄膜進行刻蝕.結果錶明,刻蝕速率與刻蝕氣體的混閤比率呈現非單調特性.噹CF4/Ar的氣體流量比R(CF4:Ar)為10:40時,刻蝕速率達到極大值.噹CF4/Ar/O2的氣體流量比R(CF4:Ar:O2)為9:36:5時,刻蝕速率達到最大值,最大刻蝕速率為8.47 nm/min.原子力顯微鏡(AFM)分析錶明,刻蝕後的薄膜錶麵粗糙度變大.對刻蝕後的薄膜再進行適噹的熱處理,可以去除部分殘留物.
분별이CF4/Ar화CF4/Ar/O2작위각식기체,채용자증강반응리자각식(MERIE)기술대sol-gel법제비적BST박막진행각식.결과표명,각식속솔여각식기체적혼합비솔정현비단조특성.당CF4/Ar적기체류량비R(CF4:Ar)위10:40시,각식속솔체도겁대치.당CF4/Ar/O2적기체류량비R(CF4:Ar:O2)위9:36:5시,각식속솔체도최대치,최대각식속솔위8.47 nm/min.원자력현미경(AFM)분석표명,각식후적박막표면조조도변대.대각식후적박막재진행괄당적열처리,가이거제부분잔류물.
