量子电子学报
量子電子學報
양자전자학보
CHINESE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
2006年
2期
268-272
,共5页
陈磊%黄永攀%浦坦%郭晓勇%赵文武%张为俊
陳磊%黃永攀%浦坦%郭曉勇%趙文武%張為俊
진뢰%황영반%포탄%곽효용%조문무%장위준
光电子学%LICVD%氮化硅%双光束激发%红外吸收光谱%拉曼光谱
光電子學%LICVD%氮化硅%雙光束激髮%紅外吸收光譜%拉曼光譜
광전자학%LICVD%담화규%쌍광속격발%홍외흡수광보%랍만광보
介绍了激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅的工艺原理,通过增加正交紫外光束激励NH3分解,提高气相中n(N)/n(Si)比,从而减少产物中游离硅的浓度,制备出粒径7～15 nm的无团聚、理想化学剂量(n(N)/n(Si)=1.314)的非晶纳米氮化硅粉体.采用透射电子显微镜观察粉体形貌,并指出表面效应和量子尺寸效应导致粉体红外吸收光谱和拉曼光谱的"蓝移"和"宽化"现象.采用双光束激励的光诱导化学气相沉积法是制备高纯度纳米氮化硅粉体的理想方法.
介紹瞭激光誘導化學氣相沉積法製備納米氮化硅的工藝原理,通過增加正交紫外光束激勵NH3分解,提高氣相中n(N)/n(Si)比,從而減少產物中遊離硅的濃度,製備齣粒徑7～15 nm的無糰聚、理想化學劑量(n(N)/n(Si)=1.314)的非晶納米氮化硅粉體.採用透射電子顯微鏡觀察粉體形貌,併指齣錶麵效應和量子呎吋效應導緻粉體紅外吸收光譜和拉曼光譜的"藍移"和"寬化"現象.採用雙光束激勵的光誘導化學氣相沉積法是製備高純度納米氮化硅粉體的理想方法.
개소료격광유도화학기상침적법제비납미담화규적공예원리,통과증가정교자외광속격려NH3분해,제고기상중n(N)/n(Si)비,종이감소산물중유리규적농도,제비출립경7～15 nm적무단취、이상화학제량(n(N)/n(Si)=1.314)적비정납미담화규분체.채용투사전자현미경관찰분체형모,병지출표면효응화양자척촌효응도치분체홍외흡수광보화랍만광보적"람이"화"관화"현상.채용쌍광속격려적광유도화학기상침적법시제비고순도납미담화규분체적이상방법.
