热处理对环境半导体材料β-FeSi2形成的影响
열처리대배경반도체재료β-FeSi2형성적영향
The Effect of Annealing Temperature on the Formation of Environmental Semiconductor Material β-FeSi2
  • 万方数据
    贵州大学学报（自然科学版） 귀주대학학보（자연과학판）
    JOURNAL OF GUIZHOU UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
    2006年 1期 81-85 ,共5页

    罗胜耘%谢泉%张晋敏%肖清泉%金石声%朱林山%闫万珺%陈坤%罗娇莲%Koji Yamada%Kiyoshi Miyake

    라성운%사천%장진민%초청천%금석성%주림산%염만군%진곤%라교련%Koji Yamada%Kiyoshi Miyake

    环境半导体材料%β-FeSi2%IBD%退火温度 環境半導體材料%β-FeSi2%IBD%退火溫度
    배경반도체재료%β-FeSi2%IBD%퇴화온도
    作者对采用非质量分离离子束注入沉积法(IBD)在Si(100)上制备的β-FeSi2薄膜进行了研究,通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)以及原子力显微镜(AFM)分析表明:当退火温度在600℃和700℃附近时有利于β-FeSi2的形成.
    작자대채용비질량분리리자속주입침적법(IBD)재Si(100)상제비적β-FeSi2박막진행료연구,통과X사선연사(XRD)화소묘전경(SEM)이급원자력현미경(AFM)분석표명:당퇴화온도재600℃화700℃부근시유리우β-FeSi2적형성.
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