电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2006年
1期
169-171,222
,共4页
张朵云%罗岚%唐守龙%吴建辉
張朵雲%囉嵐%唐守龍%吳建輝
장타운%라람%당수룡%오건휘
带隙基准电压源%共源共栅%偏置电路%输出电压摆幅%低电源电压
帶隙基準電壓源%共源共柵%偏置電路%輸齣電壓襬幅%低電源電壓
대극기준전압원%공원공책%편치전로%수출전압파폭%저전원전압
通过设计带隙基准电压源中共源共栅电流镜的偏置电路以实现低电源电压工作.该偏置电路原理是利用一个始终工作在线性区的MOS管来使共源共栅电流镜的两个级联管均工作在饱和区边缘提高输出电压摆幅,从而降低电源电压.电路基于Chartered 0.25 μm N阱CMOS 工艺实现,Hspice仿真结果与分析计算结果相符.基于这种偏置电路所设计的带隙基准电压源最低工作电压仅为2 V,温度系数为12×10-5/℃,电源抑制在频率为1～10 kHz时为-98 dB,1 MHz～1 GHz时为-40 dB.
通過設計帶隙基準電壓源中共源共柵電流鏡的偏置電路以實現低電源電壓工作.該偏置電路原理是利用一箇始終工作在線性區的MOS管來使共源共柵電流鏡的兩箇級聯管均工作在飽和區邊緣提高輸齣電壓襬幅,從而降低電源電壓.電路基于Chartered 0.25 μm N阱CMOS 工藝實現,Hspice倣真結果與分析計算結果相符.基于這種偏置電路所設計的帶隙基準電壓源最低工作電壓僅為2 V,溫度繫數為12×10-5/℃,電源抑製在頻率為1～10 kHz時為-98 dB,1 MHz～1 GHz時為-40 dB.
통과설계대극기준전압원중공원공책전류경적편치전로이실현저전원전압공작.해편치전로원리시이용일개시종공작재선성구적MOS관래사공원공책전류경적량개급련관균공작재포화구변연제고수출전압파폭,종이강저전원전압.전로기우Chartered 0.25 μm N정CMOS 공예실현,Hspice방진결과여분석계산결과상부.기우저충편치전로소설계적대극기준전압원최저공작전압부위2 V,온도계수위12×10-5/℃,전원억제재빈솔위1～10 kHz시위-98 dB,1 MHz～1 GHz시위-40 dB.
