半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
z1期
105-108
,共4页
吕衍秋%庄春泉%黄杨程%李萍%龚海梅
呂衍鞦%莊春泉%黃楊程%李萍%龔海梅
려연추%장춘천%황양정%리평%공해매
闭管扩散%电化学C-V%二次离子质谱%光致发光
閉管擴散%電化學C-V%二次離子質譜%光緻髮光
폐관확산%전화학C-V%이차리자질보%광치발광
利用闭管扩散方法以Zn3P2为扩散源,在不同扩散温度和扩散时间下对非故意掺杂InP(100)晶片进行扩散.用电化学C-V法(ECV)和二次离子质谱法(SIMS)分别测出了空穴浓度和Zn的浓度随深度的分布曲线.结果表明扩散后InP表面空穴和Zn的浓度在扩散结附近突然下降,InP表面空穴浓度主要取决于扩散温度,扩散深度随着扩散时间的增长而变大,InP表面Zn浓度一般比空穴浓度高一个数量级.另外对扩散后的样品进行光致发光(PL)测试,表明在保证表面载流子浓度的同时,适当降低扩散温度和增加扩散时间能减小对InP表面性质的影响.
利用閉管擴散方法以Zn3P2為擴散源,在不同擴散溫度和擴散時間下對非故意摻雜InP(100)晶片進行擴散.用電化學C-V法(ECV)和二次離子質譜法(SIMS)分彆測齣瞭空穴濃度和Zn的濃度隨深度的分佈麯線.結果錶明擴散後InP錶麵空穴和Zn的濃度在擴散結附近突然下降,InP錶麵空穴濃度主要取決于擴散溫度,擴散深度隨著擴散時間的增長而變大,InP錶麵Zn濃度一般比空穴濃度高一箇數量級.另外對擴散後的樣品進行光緻髮光(PL)測試,錶明在保證錶麵載流子濃度的同時,適噹降低擴散溫度和增加擴散時間能減小對InP錶麵性質的影響.
이용폐관확산방법이Zn3P2위확산원,재불동확산온도화확산시간하대비고의참잡InP(100)정편진행확산.용전화학C-V법(ECV)화이차리자질보법(SIMS)분별측출료공혈농도화Zn적농도수심도적분포곡선.결과표명확산후InP표면공혈화Zn적농도재확산결부근돌연하강,InP표면공혈농도주요취결우확산온도,확산심도수착확산시간적증장이변대,InP표면Zn농도일반비공혈농도고일개수량급.령외대확산후적양품진행광치발광(PL)측시,표명재보증표면재류자농도적동시,괄당강저확산온도화증가확산시간능감소대InP표면성질적영향.
