中国科学G辑
中國科學G輯
중국과학G집
SCIENCE IN CHINA(SERIES G)
2005年
5期
513-520
,共8页
孙光爱%陈波%杜红林%樊志剑%高涛%齐新华
孫光愛%陳波%杜紅林%樊誌劍%高濤%齊新華
손광애%진파%두홍림%번지검%고도%제신화
(L)APW+lo方法%R(Fe,Si)12(R=Y,Nd)%磁距%态密度
(L)APW+lo方法%R(Fe,Si)12(R=Y,Nd)%磁距%態密度
(L)APW+lo방법%R(Fe,Si)12(R=Y,Nd)%자거%태밀도
介绍了新近发展的基于密度泛函理论的全势能线性缀加平面波((L)APW)+局域轨道(lo)方法,并对R(Fe,Si)12化合物(R=Y,Nd)作了理论计算.由结构优化后的单胞总能量分析了Si原子的占位分布,计算得到并分析了Si原子
替代晶位不同引起的原子磁矩、总态密度和局域态密度的变化特点.结果表明RFe10Si2化合物(R=Y,Nd)饱和磁矩明显大于同类RFe10M2化合物(M=Ti,V,Cr,Mn,Mo和W),Si原子在化合物中存在两种杂化机制,Si(8j)原子会同时减小3种晶位Fe原子磁矩,Si(8f)则主要减小Fe(8i)与Fe(8j)原子磁矩.由Fermi面态密度变化分析认为加入Si原子会大大提高化合物居里温度.
介紹瞭新近髮展的基于密度汎函理論的全勢能線性綴加平麵波((L)APW)+跼域軌道(lo)方法,併對R(Fe,Si)12化閤物(R=Y,Nd)作瞭理論計算.由結構優化後的單胞總能量分析瞭Si原子的佔位分佈,計算得到併分析瞭Si原子
替代晶位不同引起的原子磁矩、總態密度和跼域態密度的變化特點.結果錶明RFe10Si2化閤物(R=Y,Nd)飽和磁矩明顯大于同類RFe10M2化閤物(M=Ti,V,Cr,Mn,Mo和W),Si原子在化閤物中存在兩種雜化機製,Si(8j)原子會同時減小3種晶位Fe原子磁矩,Si(8f)則主要減小Fe(8i)與Fe(8j)原子磁矩.由Fermi麵態密度變化分析認為加入Si原子會大大提高化閤物居裏溫度.
개소료신근발전적기우밀도범함이론적전세능선성철가평면파((L)APW)+국역궤도(lo)방법,병대R(Fe,Si)12화합물(R=Y,Nd)작료이론계산.유결구우화후적단포총능량분석료Si원자적점위분포,계산득도병분석료Si원자
체대정위불동인기적원자자구、총태밀도화국역태밀도적변화특점.결과표명RFe10Si2화합물(R=Y,Nd)포화자구명현대우동류RFe10M2화합물(M=Ti,V,Cr,Mn,Mo화W),Si원자재화합물중존재량충잡화궤제,Si(8j)원자회동시감소3충정위Fe원자자구,Si(8f)칙주요감소Fe(8i)여Fe(8j)원자자구.유Fermi면태밀도변화분석인위가입Si원자회대대제고화합물거리온도.
