半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
z1期
85-90
,共6页
张雪娜%徐雪青%沈辉%郑岳华
張雪娜%徐雪青%瀋輝%鄭嶽華
장설나%서설청%침휘%정악화
SiO2薄膜%减反射%溶胶-凝胶%红外光谱分析
SiO2薄膜%減反射%溶膠-凝膠%紅外光譜分析
SiO2박막%감반사%용효-응효%홍외광보분석
使用射频溅射和溶胶-凝胶(Sol-Gel)两种方法在玻璃表面制备SiO2减反射薄膜,比较两种方法制备的薄膜减反效果.分析了Sol-Gel方法中溶胶浓度、陈化时间以及退火温度对薄膜透过率的影响.当溶胶浓度为0.4M、陈化时间为6天以及退火温度达450℃时,制得的样品透过率可达99.3%.采用红外光谱分析了SiO2溶胶及凝胶的结构变化过程,发现随着陈化时间和退火温度增加,Si-O-Si键增强.
使用射頻濺射和溶膠-凝膠(Sol-Gel)兩種方法在玻璃錶麵製備SiO2減反射薄膜,比較兩種方法製備的薄膜減反效果.分析瞭Sol-Gel方法中溶膠濃度、陳化時間以及退火溫度對薄膜透過率的影響.噹溶膠濃度為0.4M、陳化時間為6天以及退火溫度達450℃時,製得的樣品透過率可達99.3%.採用紅外光譜分析瞭SiO2溶膠及凝膠的結構變化過程,髮現隨著陳化時間和退火溫度增加,Si-O-Si鍵增彊.
사용사빈천사화용효-응효(Sol-Gel)량충방법재파리표면제비SiO2감반사박막,비교량충방법제비적박막감반효과.분석료Sol-Gel방법중용효농도、진화시간이급퇴화온도대박막투과솔적영향.당용효농도위0.4M、진화시간위6천이급퇴화온도체450℃시,제득적양품투과솔가체99.3%.채용홍외광보분석료SiO2용효급응효적결구변화과정,발현수착진화시간화퇴화온도증가,Si-O-Si건증강.
