ECR-CVD制备的非晶SiOxNy薄膜的光致蓝光发射
ECR-CVD제비적비정SiOxNy박막적광치람광발사
Blue photoluminescence of a-SiOxNy films prepared by ECR-CVD
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2003年 5期 1287-1291 ,共5页

    许圣华%辛煜%宁兆元%程珊华%黄松%陆新华%项苏留%陈军

    허골화%신욱%저조원%정산화%황송%륙신화%항소류%진군

    ECR-CVD,红外吸收光谱%非晶氮化硅薄膜,光致发光 ECR-CVD,紅外吸收光譜%非晶氮化硅薄膜,光緻髮光
    ECR-CVD,홍외흡수광보%비정담화규박막,광치발광
    使用90%N2稀释的SiH4与O2作为前驱气体,利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了非晶氮氧化硅薄膜(a-SiOxNy).红外吸收光谱的结果表明,a-SiOxNy薄膜主要由Si-O-Si和Si-N键的两相结构组成,在存在氧流量的情形下,薄膜主要成分是SiOx相,而在无氧流量的情形下,薄膜则主要是SiNx相.使用5.65eV的紫外光激发,发现SiOxNy薄膜出现了位于460nm的光致蓝光主峰,且其发光强度随着氧流量的降低而显著增强.根据缺陷态发光中心和SiNx蓝光发射能隙态模型,讨论了其发光机理,认为在低N含量时,蓝光发射是由于SiOx中的氧空位缺陷引起的;在高N含量时,蓝光发射强度的大幅度增强是由于SiNx的缺陷态中电子和空穴的辐射复合引起的.
    사용90%N2희석적SiH4여O2작위전구기체,이용미파전자회선공진등리자체화학기상침적(ECR-CVD)방법제비료비정담양화규박막(a-SiOxNy).홍외흡수광보적결과표명,a-SiOxNy박막주요유Si-O-Si화Si-N건적량상결구조성,재존재양류량적정형하,박막주요성분시SiOx상,이재무양류량적정형하,박막칙주요시SiNx상.사용5.65eV적자외광격발,발현SiOxNy박막출현료위우460nm적광치람광주봉,차기발광강도수착양류량적강저이현저증강.근거결함태발광중심화SiNx람광발사능극태모형,토론료기발광궤리,인위재저N함량시,람광발사시유우SiOx중적양공위결함인기적;재고N함량시,람광발사강도적대폭도증강시유우SiNx적결함태중전자화공혈적복사복합인기적.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문