半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2003年
5期
312-315
,共4页
李万万%桑文斌%闵嘉华%郁芳%张斌%王昆黍
李萬萬%桑文斌%閔嘉華%鬱芳%張斌%王昆黍
리만만%상문빈%민가화%욱방%장빈%왕곤서
CdZnTe 晶体%Γ射线探测器%钝化处理%漏电流
CdZnTe 晶體%Γ射線探測器%鈍化處理%漏電流
CdZnTe 정체%Γ사선탐측기%둔화처리%루전류
表面漏电流引起的噪声会限制CdZnTe探测器的性能,尤其对于共面栅探测器,漏电噪声的大小与器件的电极设计和表面处理工艺密切相关.研究了化学钝化的工艺条件对CdZnTe表面状态的影响,借助原子力显微镜、电子探针和微电流测试仪等手段,研究了CZT表面形貌、组成等特性与器件电学性能之间的关系,有效地降低了器件的表面漏电流.
錶麵漏電流引起的譟聲會限製CdZnTe探測器的性能,尤其對于共麵柵探測器,漏電譟聲的大小與器件的電極設計和錶麵處理工藝密切相關.研究瞭化學鈍化的工藝條件對CdZnTe錶麵狀態的影響,藉助原子力顯微鏡、電子探針和微電流測試儀等手段,研究瞭CZT錶麵形貌、組成等特性與器件電學性能之間的關繫,有效地降低瞭器件的錶麵漏電流.
표면루전류인기적조성회한제CdZnTe탐측기적성능,우기대우공면책탐측기,루전조성적대소여기건적전겁설계화표면처리공예밀절상관.연구료화학둔화적공예조건대CdZnTe표면상태적영향,차조원자력현미경、전자탐침화미전류측시의등수단,연구료CZT표면형모、조성등특성여기건전학성능지간적관계,유효지강저료기건적표면루전류.
