半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
5期
504-509
,共6页
SiC%Schottky结%势垒不均匀性%界面层
SiC%Schottky結%勢壘不均勻性%界麵層
SiC%Schottky결%세루불균균성%계면층
提出了一种考虑Schottky结势垒不均匀性和界面层作用的SiC Schottky二极管(SBD)正向特性模型,势垒的不均匀性来自于SiC外延层上的各种缺陷,而界面层上的压降会使正向Schottky结的有效势垒增高.该模型能够对不同温度下SiC Schottky结正向特性很好地进行模拟,模拟结果和测量数据相符.它更适用于考虑器件温度变化的场合,从机理上说明了理想因子、有效势垒和温度的关系.
提齣瞭一種攷慮Schottky結勢壘不均勻性和界麵層作用的SiC Schottky二極管(SBD)正嚮特性模型,勢壘的不均勻性來自于SiC外延層上的各種缺陷,而界麵層上的壓降會使正嚮Schottky結的有效勢壘增高.該模型能夠對不同溫度下SiC Schottky結正嚮特性很好地進行模擬,模擬結果和測量數據相符.它更適用于攷慮器件溫度變化的場閤,從機理上說明瞭理想因子、有效勢壘和溫度的關繫.
제출료일충고필Schottky결세루불균균성화계면층작용적SiC Schottky이겁관(SBD)정향특성모형,세루적불균균성래자우SiC외연층상적각충결함,이계면층상적압강회사정향Schottky결적유효세루증고.해모형능구대불동온도하SiC Schottky결정향특성흔호지진행모의,모의결과화측량수거상부.타경괄용우고필기건온도변화적장합,종궤리상설명료이상인자、유효세루화온도적관계.
