CAJ | 학술논문

通过对RF-PECVD技术沉积氢化非晶/微晶硅(a-Si:H/μc-Si:H)薄膜沉积过程中硅烷(SiH4)等离子体的光发射谱(OES)原位测量,系统地研究了不同的等离子体工艺条件下,特征发光峰强度(ISiH、IHα和IHβ)的变化规律.结果表明:随着SiH4浓度增大,IsiH单调增大且在不同浓度范围内变化快慢不同,而IHα和IHβ峰表现为先增后减的变化,最大值位于3～5 %的SiH4浓度之间;工作气压的增大,各特征发光峰均呈现出先增后减的变化,但最大值对应的工作气压点有所不同;增大等离子体功率,所有的特征发光峰单调增加,但在不同的功率区间内变化快慢存在明显差异;气体流量在40～75 sccm范围内变化时对特征发光峰的影响最为显著,更低流量时变化很小,更高流量则趋于饱和;衬底温度不仅影响生长表面的发应,对SiH4分解机制的影响不容忽视.
통과대RF-PECVD기술침적경화비정/미정규(a-Si:H/μc-Si:H)박막침적과정중규완(SiH4)등리자체적광발사보(OES)원위측량,계통지연구료불동적등리자체공예조건하,특정발광봉강도(ISiH、IHα화IHβ)적변화규률.결과표명:수착SiH4농도증대,IsiH단조증대차재불동농도범위내변화쾌만불동,이IHα화IHβ봉표현위선증후감적변화,최대치위우3～5 %적SiH4농도지간;공작기압적증대,각특정발광봉균정현출선증후감적변화,단최대치대응적공작기압점유소불동;증대등리자체공솔,소유적특정발광봉단조증가,단재불동적공솔구간내변화쾌만존재명현차이;기체류량재40～75 sccm범위내변화시대특정발광봉적영향최위현저,경저류량시변화흔소,경고류량칙추우포화;츤저온도불부영향생장표면적발응,대SiH4분해궤제적영향불용홀시.