CAJ | 학술논문

万方数据

固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2001年 2期 156-163 ,共8页

冯耀兰%魏同立馮耀蘭%魏同立

풍요란%위동립

宽温区%金属-氧化物-半导体场效应晶体管%迁移率寬溫區%金屬-氧化物-半導體場效應晶體管%遷移率
관온구%금속-양화물-반도체장효응정체관%천이솔

在对硅材料基本物理参数的高温模型和宽温区(27～300℃）MOSFET基本特性深入研究的基础上，进一步研究了宽温区MOSFET的非常数表面迁移率效应。理论和实验研究结果表明，由于高温下晶格散射加剧，使表面纵向电场对载流子迁移率的影响减弱，使小尺寸MOSFET横向电场引起的载流子饱和速度下降。
재대규재료기본물리삼수적고온모형화관온구(27～300℃）MOSFET기본특성심입연구적기출상，진일보연구료관온구MOSFET적비상수표면천이솔효응。이론화실험연구결과표명，유우고온하정격산사가극，사표면종향전장대재류자천이솔적영향감약，사소척촌MOSFET횡향전장인기적재류자포화속도하강。