光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2000年
1期
29-31
,共3页
金智%李明涛%王新强%李正庭%杨树人%杜国同%刘式墉
金智%李明濤%王新彊%李正庭%楊樹人%杜國同%劉式墉
금지%리명도%왕신강%리정정%양수인%두국동%류식용
GaAs%张应变层%InAs%量子点%原子力显微镜
GaAs%張應變層%InAs%量子點%原子力顯微鏡
GaAs%장응변층%InAs%양자점%원자력현미경
本文利用LP-MOCVD系统在InP(001)衬底上先生长约2 nm的GaAs张应变层,再依据S-K生长模式生长InAs量子点层.用原子力显微镜(AFM)对InAs量子点(岛化)进行了研究.研究发现当InAs层的厚度为2个单原子层(ML)时,刚刚有InAs自组装量子点在表面形成;当InAs层的厚度为4 ML时,有大量的InAs自组装量子点在表面形成,且量子点的有规律地沿两个正交方向排列,沿某一方向排列较多,而另一方向相对较少.
本文利用LP-MOCVD繫統在InP(001)襯底上先生長約2 nm的GaAs張應變層,再依據S-K生長模式生長InAs量子點層.用原子力顯微鏡(AFM)對InAs量子點(島化)進行瞭研究.研究髮現噹InAs層的厚度為2箇單原子層(ML)時,剛剛有InAs自組裝量子點在錶麵形成;噹InAs層的厚度為4 ML時,有大量的InAs自組裝量子點在錶麵形成,且量子點的有規律地沿兩箇正交方嚮排列,沿某一方嚮排列較多,而另一方嚮相對較少.
본문이용LP-MOCVD계통재InP(001)츤저상선생장약2 nm적GaAs장응변층,재의거S-K생장모식생장InAs양자점층.용원자력현미경(AFM)대InAs양자점(도화)진행료연구.연구발현당InAs층적후도위2개단원자층(ML)시,강강유InAs자조장양자점재표면형성;당InAs층적후도위4 ML시,유대량적InAs자조장양자점재표면형성,차양자점적유규률지연량개정교방향배렬,연모일방향배렬교다,이령일방향상대교소.
