发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2000年
2期
115-119
,共5页
硫代乙酰胺%钝化%GaP%表面性质
硫代乙酰胺%鈍化%GaP%錶麵性質
류대을선알%둔화%GaP%표면성질
借助扫描电子显微镜(SEM)、X光电子能谱仪(XPS)研究在不同处理条件下,GaP晶片表面硫化物钝化对其结构、形态以及表面形貌的影响.实验结果表明:经过CH3CSNH2溶液一定时间钝化处理后,GaP表面氧化物基本消失,形成薄的硫化物钝化层和较强的Ga-S、P-S键,并引起X光电子能谱的Ga、P芯能级化学位移,Ga的硫化物有较好的稳定性.
藉助掃描電子顯微鏡(SEM)、X光電子能譜儀(XPS)研究在不同處理條件下,GaP晶片錶麵硫化物鈍化對其結構、形態以及錶麵形貌的影響.實驗結果錶明:經過CH3CSNH2溶液一定時間鈍化處理後,GaP錶麵氧化物基本消失,形成薄的硫化物鈍化層和較彊的Ga-S、P-S鍵,併引起X光電子能譜的Ga、P芯能級化學位移,Ga的硫化物有較好的穩定性.
차조소묘전자현미경(SEM)、X광전자능보의(XPS)연구재불동처리조건하,GaP정편표면류화물둔화대기결구、형태이급표면형모적영향.실험결과표명:경과CH3CSNH2용액일정시간둔화처리후,GaP표면양화물기본소실,형성박적류화물둔화층화교강적Ga-S、P-S건,병인기X광전자능보적Ga、P심능급화학위이,Ga적류화물유교호적은정성.
