西安理工大学学报
西安理工大學學報
서안리공대학학보
JOURNAL OF XI'AN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
1999年
4期
39-41
,共3页
发射极%MOS控制晶闸管
髮射極%MOS控製晶閘管
발사겁%MOS공제정갑관
提出一种新型的MOS控制晶闸管结构DNMCT器件.该器件同MCT相比减弱了寄生JFET效应,并利用PISCES-IIB器件模拟软件验证DNMCT具有较好的正向导通电流-电压特性.该结构在一定程度上可缓解器件开关速度与导通压降之间的矛盾.
提齣一種新型的MOS控製晶閘管結構DNMCT器件.該器件同MCT相比減弱瞭寄生JFET效應,併利用PISCES-IIB器件模擬軟件驗證DNMCT具有較好的正嚮導通電流-電壓特性.該結構在一定程度上可緩解器件開關速度與導通壓降之間的矛盾.
제출일충신형적MOS공제정갑관결구DNMCT기건.해기건동MCT상비감약료기생JFET효응,병이용PISCES-IIB기건모의연건험증DNMCT구유교호적정향도통전류-전압특성.해결구재일정정도상가완해기건개관속도여도통압강지간적모순.
