半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
1999年
4期
36-40
,共5页
非晶硅%电子辐照%MonteCarlo摸拟
非晶硅%電子輻照%MonteCarlo摸擬
비정규%전자복조%MonteCarlo모의
在分析了非晶硅(a-Si)材料的模型后,提出了一种能够反映a-Si材料结构特点的无规网络模型.以此模型为基础,用MonteCarlo方法模拟计算了能量为0.5～2.5MeV的电子束与a-Si的相互作用,得到了一些对电子辐照实验有参考价值的结果.
在分析瞭非晶硅(a-Si)材料的模型後,提齣瞭一種能夠反映a-Si材料結構特點的無規網絡模型.以此模型為基礎,用MonteCarlo方法模擬計算瞭能量為0.5～2.5MeV的電子束與a-Si的相互作用,得到瞭一些對電子輻照實驗有參攷價值的結果.
재분석료비정규(a-Si)재료적모형후,제출료일충능구반영a-Si재료결구특점적무규망락모형.이차모형위기출,용MonteCarlo방법모의계산료능량위0.5～2.5MeV적전자속여a-Si적상호작용,득도료일사대전자복조실험유삼고개치적결과.
